N32903U1DN 時間：2025/4/30 9:02:33 閱讀：34

N32903U1DN是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻和高切換速度的特點(diǎn)，適用于各種高效能電源管理場景。
　　該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，確保其在高頻和大電流條件下具備出色的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：30V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：90A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V時）
　　總功耗(Ptot)：170W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247

特性

N32903U1DN的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高雪崩擊穿能量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
　　3. 快速開關(guān)速度，支持高頻工作環(huán)境。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，適合高溫工作條件。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
　　6. 封裝堅固耐用，便于散熱設(shè)計。

應(yīng)用

這款MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)和同步整流器。
　　2. 電動車輛及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中的功率控制。
　　3. 太陽能逆變器與儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　4. DC/DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)。
　　5. 各類電池保護(hù)電路及充放電管理系統(tǒng)。
　　6. LED照明驅(qū)動電路中的功率開關(guān)元件。