N32903U1DN是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和高切換速度的特點(diǎn),適用于各種高效能電源管理場景。
該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,確保其在高頻和大電流條件下具備出色的性能表現(xiàn)。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):90A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V時)
總功耗(Ptot):170W
結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+175℃
封裝形式:TO-247
N32903U1DN的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩擊穿能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
3. 快速開關(guān)速度,支持高頻工作環(huán)境。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),適合高溫工作條件。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
6. 封裝堅固耐用,便于散熱設(shè)計。
這款MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)和同步整流器。
2. 電動車輛及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中的功率控制。
3. 太陽能逆變器與儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. DC/DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)。
5. 各類電池保護(hù)電路及充放電管理系統(tǒng)。
6. LED照明驅(qū)動電路中的功率開關(guān)元件。
N32903K1DN
N32903L1DN
N32903G1DN