NCE01P03S 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率開關器件,專為高�、高效率電源轉換應用而設�。該器件采用增強� GaN FET 技�,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小整體尺�。它適用� AC/DC � DC/DC 轉換�、適配器、快充以及其他高性能電源管理場景�
該芯片集成了先進的保護功能,包括過流保�、過溫保護等,確保在各種工作條件下的�(wěn)定性和可靠��
類型:功率開�
材料:氮化鎵 (GaN)
導通電阻:160 mΩ
額定電壓�300 V
最大電流:4 A
封裝形式:DFN5x6
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
NCE01P03S 的主要特性如下:
1. 基于最新一代增強型 GaN 技術,提供卓越的高頻性能和能效�
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有效降低傳導損耗�
3. 快速開關速度,減少開關損耗并支持更高頻率的應��
4. 小巧� DFN5x6 封裝,節(jié)� PCB 空間�
5. 內置多重保護機制,包括過流保護和過溫關斷功能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設備的需��
NCE01P03S 廣泛應用于以下領域:
1. USB PD 快速充電器,提升充電效率并縮小體積�
2. 高效 AC/DC � DC/DC 轉換�,用于消費類電子設備�
3. 工業(yè)� SMPS(開關模式電源)系統(tǒng)�
4. LED 驅動器和光伏逆變器中的高頻功率轉換模塊�
5. 各種便攜式設備和家電的電源管理單��
NCE01P03T, NCE01P05S