NCE30P28Q 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該芯片具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器等場景。其封裝形式通常為行業(yè)標準的小型表面貼裝封裝,有助于簡化設(shè)計并提高功率密度。
這款芯片通過優(yōu)化柵極驅(qū)動特性和熱管理能力,在高頻工作條件下展現(xiàn)出卓越的性能表現(xiàn),同時能夠顯著降低系統(tǒng)損耗。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:28A
導(dǎo)通電阻:1.6mΩ(典型值)
柵極電荷:9nC(典型值)
反向恢復(fù)時間:無(由于是 GaN 器件)
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:QFN 8x8mm
NCE30P28Q 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以有效減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗。
2. 高速開關(guān)能力,支持MHz級別的開關(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)用場景。
3. 無反向恢復(fù)電荷,因為 GaN 技術(shù)消除了傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的反向恢復(fù)問題。
4. 熱性能優(yōu)越,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
5. 小型化封裝設(shè)計,便于在緊湊型電路板上進行布局。
6. 內(nèi)置靜電保護功能,提升了芯片的魯棒性。
NCE30P28Q 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計,尤其適用于需要高效率和高功率密度的場合。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,如電動汽車充電模塊或服務(wù)器電源管理系統(tǒng)。
3. 無線充電設(shè)備,利用其高頻特性實現(xiàn)高效能量傳輸。
4. 工業(yè)電機驅(qū)動控制,滿足對高性能功率器件的需求。
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)應(yīng)用。
6. 快充適配器,助力消費電子領(lǐng)域的便攜式快充解決方案。
NCE30P32Q, NCE30P20Q