時間：2025/5/8 13:19:13
閱讀：26
NCE30P28Q 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件，專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該芯片具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器等場景。其封裝形式通常為行業(yè)標準的小型表面貼裝封裝，有助于簡化設(shè)計并提高功率密度。
這款芯片通過優(yōu)化柵極驅(qū)動特性和熱管理能力，在高頻工作條件下展現(xiàn)出卓越的性能表現(xiàn)，同時能夠顯著降低系統(tǒng)損耗。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：28A
導(dǎo)通電阻：1.6mΩ（典型值）
柵極電荷：9nC（典型值）
反向恢復(fù)時間：無（由于是 GaN 器件）
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：QFN 8x8mm
NCE30P28Q 的主要特性包括以下幾點：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以有效減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗。
2. 高速開關(guān)能力，支持MHz級別的開關(guān)頻率，非常適合高頻應(yīng)用場景。
3. 無反向恢復(fù)電荷，因為 GaN 技術(shù)消除了傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的反向恢復(fù)問題。
4. 熱性能優(yōu)越，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
5. 小型化封裝設(shè)計，便于在緊湊型電路板上進行布局。
6. 內(nèi)置靜電保護功能，提升了芯片的魯棒性。
NCE30P28Q 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計，尤其適用于需要高效率和高功率密度的場合。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，如電動汽車充電模塊或服務(wù)器電源管理系統(tǒng)。
3. 無線充電設(shè)備，利用其高頻特性實現(xiàn)高效能量傳輸。
4. 工業(yè)電機驅(qū)動控制，滿足對高性能功率器件的需求。
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)應(yīng)用。
6. 快充適配器，助力消費電子領(lǐng)域的便攜式快充解決方案。
NCE30P32Q, NCE30P20Q
