NCE55P30K是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),適用于高電�、高電流的功率轉換應�。該器件屬于N溝道增強型MOSFET,通常用于開關電源、電機驅動、逆變器和負載開關等場��
其設計目標是提供低導通電阻和快速開關特�,從而優(yōu)化效率和減少功率損�。由于其高耐壓能力,NCE55P30K在需要處理高電壓輸入的應用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�4.8A
導通電阻(Rds(on)):1.2Ω(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�22nC
總電容(Ciss):1600pF
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-220
NCE55P30K具有高耐壓能力,能夠承受高�700V的漏源電�,這使其非常適合應用于高電壓環(huán)境下的功率管理任��
該器件具備較低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,它還擁有較小的柵極電荷和開關時間,能夠實現(xiàn)高頻開關操作,從而適應現(xiàn)代功率電子設備對高效能的需求�
其良好的熱穩(wěn)定性和寬泛的工作溫度范圍(-55°C�+150°C)保證了該MOSFET在極端條件下的可靠�。同�,TO-220封裝提供了高效的散熱性能,進一步增強了器件的耐用��
NCE55P30K廣泛應用于多種功率電子領�,包括但不限于以下方面:
1. 開關電源(SMPS):作為主開關或同步整流器使�,提升電源轉換效��
2. 電機驅動:控制直流無刷電機或其他類型電機的運行狀�(tài)�
3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他類型的逆變器中用作功率開關�
4. 負載開關:為不同負載提供精確的開關控�,確保系�(tǒng)的安全與�(wěn)定��
5. PFC電路:功率因�(shù)校正電路中的關鍵元件,改善功率因�(shù)和減少諧波失真�
IRF840, STP55NF06L