NCE65T360F是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和開關電路等領域。該器件采用先進的制造工�,能夠提供低導通電阻和高開關速度,從而提升整體系�(tǒng)的效率和性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強�,適用于多種需要高效功率轉換的應用場景,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電�(VDS)�65V
最大柵源電�(VGS):�20V
持續(xù)漏極電流(ID)�360A
導通電�(RDS(on))�1.5mΩ(典型�,在VGS=10V時)
柵極電荷(Qg)�125nC(最大值)
開關時間:開啟時�(tON)=45ns,關斷時�(tOFF)=75ns
結溫范圍(TJ)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
NCE65T360F具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電�,可有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能力,支持高達360A的持�(xù)漏極電流,滿足大功率應用需��
3. 快速開關特性,適合高頻操作�(huán)�,減少開關損��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�
5. 強大的抗浪涌能力,確保在惡劣條件下仍能可靠運��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
該芯片主要應用于以下領域�
1. 工業(yè)級電機驅(qū)動與控制電路�
2. 高效DC-DC轉換器和逆變��
3. 不間斷電�(UPS)和太陽能逆變器�
4. 大功率LED�(qū)動電��
5. 汽車電子中的負載切換和電池管��
6. 各類開關模式電源(SMPS)設計�
NCE65T360E, IRFP2907, STP360N06L