NCE85H25T是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電力電子設(shè)備中。該器件采用了先�(jìn)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
與傳�(tǒng)的硅基MOSFET相比,NCE85H25T在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出更高的效率和更小的熱損�,因此非常適合用于電源轉(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電器以及其他需要高性能功率管理的場(chǎng)��
額定電壓�650V
額定電流�25A
�(dǎo)通電阻:100mΩ
柵極電荷�35nC
輸入電容�1200pF
反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
NCE85H25T的主要特性包括:
1. 高頻開關(guān)能力,支持MHz�(jí)別的工作頻率�
2. 極低的導(dǎo)通電�,確保在大電流應(yīng)用中的低功耗�
3. 快速的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗并提高了效��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�
6. �(nèi)置過(guò)流保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件的安全性�
7. 支持多種�(qū)�(dòng)方式,兼容傳�(tǒng)硅基MOSFET的驅(qū)�(dòng)電路�
NCE85H25T適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源適配器�
3. �(wú)線充電模塊及快充技�(shù)�
4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻電源控��
6. LED照明�(qū)�(dòng)器及�(shù)字電源解決方��
7. 電動(dòng)汽車充電站及車載充電器等新能源領(lǐng)域�
NCE85H20T, NCE65H25T, EPC2020