NCP600SN180T1G 是由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的一款高� MOSFET �(qū)動器芯片,主要用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。它能夠�(qū)� N 溝道功率 MOSFET � IGBT,并提供快速開�(guān)和高效率的性能。該器件具有�(qiáng)大的�(qū)動能�,適用于各種高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等場景�
這款�(qū)動器芯片�(shè)計為簡化大電流開�(guān)的應(yīng)用,同時具備短路保護(hù)和低功耗特�。其采用 SOIC-8 封裝形式,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
型號:NCP600SN180T1G
封裝:SOIC-8
工作電壓范圍�15V � 20V
峰值輸出源電流�1.8A
峰值輸出灌電流�1.8A
傳播延遲�40ns
上升時間�10ns
下降時間�10ns
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
隔離電壓:支持高�(dá) 30V � VDS
NCP600SN180T1G 提供了強(qiáng)大的�(qū)動能力和快速的開關(guān)速度,確保在高頻�(yīng)用中的高效表�(xiàn)�
該器件具備以下特�(diǎn)�
1. 高達(dá) ±1.8A 的峰值輸出電流,可以�(qū)動大容量 MOSFET � IGBT�
2. 極低的傳播延遲(40ns�,有助于提高系統(tǒng)響應(yīng)速度�
3. 快速的上升和下降時間(均為 10ns�,減少開�(guān)損耗并�(yōu)化效率;
4. �(nèi)置短路保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
5. 工作溫度范圍寬廣�-40°C � +125°C),適合工業(yè)和汽車級�(yīng)��
6. 小型 SOIC-8 封裝,便� PCB 布局�(shè)��
NCP600SN180T1G 主要�(yīng)用于需要高性能功率開關(guān)的場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計,� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. LED 照明�(qū)動電路,提供高效的功率控��
3. 電機(jī)�(qū)動器,用于無刷直流電�(jī)和其他類型的電機(jī)控制�
4. 工業(yè)自動化設(shè)�,例如變頻器和逆變��
5. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)(BMS)和車載充電��
6. 其他需要大電流 MOSFET � IGBT �(qū)動的場合�
NCP600SN180T1G-A, NCP600SN180T1G-B