時間：2025/4/28 8:42:15
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NCT5571D-2 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景中。該器件采用先進的工藝制造，具有出色的開關(guān)特性和低功耗特點，適用于各種電源管理應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電池保護電路等。
其主要設(shè)計目標(biāo)是為高頻率開關(guān)應(yīng)用提供卓越的性能表現(xiàn)，并能夠在較高的電流條件下保持較低的導(dǎo)通損耗。
類型：N溝道增強型MOSFET
漏源電壓 (Vds)：60 V
柵極源極電壓 (Vgs)：±20 V
連續(xù)漏極電流 (Id)：34 A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：3.5 mΩ
柵極電荷 (Qg)：49 nC
輸入電容 (Ciss)：1880 pF
總功耗 (Ptot)：16 W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
NCT5571D-2 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在高電流下可顯著減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開關(guān)能力，支持高頻應(yīng)用，降低開關(guān)損耗。
3. 低柵極電荷 (Qg)，有助于提高系統(tǒng)效率。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持可靠運行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)要求。
6. 小型封裝設(shè)計，節(jié)省 PCB 空間，同時具備良好的散熱性能。
這款 MOSFET 可用于多種電力電子領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動和逆變器控制電路中的功率級元件。
3. 筆記本電腦、平板設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品的負載開關(guān)。
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護電路。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
6. 高效 LED 驅(qū)動器中的關(guān)鍵功率器件。
NCT5571D-2G, NTD5571N, FDMT5571
