NCV8570BSN18T1G 是一款高性能的汽車(chē)級(jí) N 溝道功率 MOSFET,專(zhuān)為高可靠性要求的車(chē)載應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用 SOIC-8 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓特性,適用于多種開(kāi)關(guān)和負(fù)載驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。
這款 MOSFET 在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色,并通過(guò)了嚴(yán)格的 AEC-Q101 認(rèn)證,確保在極端條件下的穩(wěn)定性和耐用性。
型號(hào):NCV8570BSN18T1G
封裝:SOIC-8
最大漏源電壓 VDS:60V
最大柵源電壓 VGS:±20V
連續(xù)漏極電流 ID:30A(@Tc=25℃)
導(dǎo)通電阻 RDS(on):4.9mΩ(@VGS=10V)
總功耗:25W
工作溫度范圍:-40℃ 至 +175℃
封裝類(lèi)型:表面貼裝
NCV8570BSN18T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提升效率。
2. 高額定電流能力(ID=30A),適合大電流負(fù)載的應(yīng)用。
3. 支持高達(dá) 60V 的漏源電壓,能夠應(yīng)對(duì)各種電壓波動(dòng)場(chǎng)景。
4. 寬廣的工作溫度范圍(-40℃ 至 +175℃),適應(yīng)嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境。
5. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備卓越的可靠性和穩(wěn)定性。
6. 緊湊的 SOIC-8 封裝設(shè)計(jì),便于 PCB 布局與散熱管理。
7. 快速開(kāi)關(guān)性能,降低開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
該芯片廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子領(lǐng)域,例如:
1. 電動(dòng)座椅和車(chē)窗驅(qū)動(dòng)控制。
2. 汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)及風(fēng)扇電機(jī)控制。
3. 車(chē)載充電器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
4. 點(diǎn)火系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
6. 各種高電流負(fù)載的保護(hù)和控制電路。
NCV8570BSN18T1G 憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,成為許多汽車(chē)制造商的理想選擇。
NCV8571MSHT1G, NCV8572BPT1G