時間：2025/6/3 20:03:28
閱讀：8
NDC3105LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效率功率晶體管，廣泛應(yīng)用于高頻、高功率密度場景。這款器件采用增強型 GaN 場效應(yīng)晶體管 (eGaN FET) 結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有極低的導通電阻和快速開關(guān)性能，適合于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及無線充電等應(yīng)用。
相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET，NDC3105LT1G 在高頻和高壓環(huán)境下表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能，同時能夠顯著減少系統(tǒng)功耗和體積。
漏源導通電阻(Rds(on))：40 mΩ
額定電壓(Vds)：100 V
額定電流(Id)：12 A
柵極閾值電壓(Vgs(th))：1.5 V 至 3 V
最大工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：LLP-8
NDC3105LT1G 的核心優(yōu)勢在于其出色的電氣特性和可靠性。首先，它擁有超低的導通電阻 Rds(on)，僅為 40 毫歐姆，可大幅降低傳導損耗。
其次，其開關(guān)速度極快，具備低柵極電荷(Qg) 和輸出電荷(Qoss)，使得開關(guān)損耗顯著降低。在高頻操作下，這種特性可以有效提高效率并縮小無源元件尺寸。
此外，該器件支持高達 100V 的工作電壓，同時能夠在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行，適用于惡劣環(huán)境條件下的工業(yè)及汽車應(yīng)用。
最后，其 LLP-8 封裝提供了卓越的熱性能和緊湊的設(shè)計，有助于進一步優(yōu)化 PCB 布局和散熱管理。
NDC3105LT1G 廣泛用于需要高效能和小型化的電力電子領(lǐng)域。典型應(yīng)用場景包括：
1. 開關(guān)電源(SMPS)：特別是在圖騰柱 PFC 等拓撲中，利用其低損耗特性實現(xiàn)更高效率。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：適合筆記本電腦適配器、服務(wù)器電源模塊等領(lǐng)域，提供更快的動態(tài)響應(yīng)。
3. 電機驅(qū)動：由于其高頻能力，可用于高性能無刷直流電機控制。
4. 無線充電設(shè)備：為消費電子產(chǎn)品提供更高效的無線能量傳輸解決方案。
5. 快速充電器：憑借其快速開關(guān)能力，可滿足現(xiàn)代便攜式設(shè)備對高功率密度的需求。
NDS3105LT1G
NDC3106LT1G
