NDC3105LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、高功率密度場景。這款器件采用增強� GaN 場效�(yīng)晶體� (eGaN FET) �(jié)�(gòu)�(shè)�,具有極低的導通電阻和快速開�(guān)性能,適合于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及無線充電等�(yīng)��
相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,NDC3105LT1G 在高頻和高壓�(huán)境下表現(xiàn)出更�(yōu)異的性能,同時能夠顯著減少系�(tǒng)功耗和體積�
漏源導通電�(Rds(on))�40 mΩ
額定電壓(Vds)�100 V
額定電流(Id)�12 A
柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5 V � 3 V
最大工作溫度范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:LLP-8
NDC3105LT1G 的核心優(yōu)勢在于其出色的電氣特性和可靠性。首�,它擁有超低的導通電� Rds(on),僅� 40 毫歐�,可大幅降低傳導損��
其次,其開關(guān)速度極快,具備低柵極電荷(Qg) 和輸出電�(Qoss),使得開�(guān)損耗顯著降�。在高頻操作�,這種特性可以有效提高效率并縮小無源元件尺寸�
此外,該器件支持高達 100V 的工作電�,同時能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適用于惡劣�(huán)境條件下的工�(yè)及汽車應(yīng)用�
最�,其 LLP-8 封裝提供了卓越的熱性能和緊湊的�(shè)�,有助于進一步優(yōu)� PCB 布局和散熱管理�
NDC3105LT1G 廣泛用于需要高效能和小型化的電力電子領(lǐng)�。典型應(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS):特別是在圖騰柱 PFC 等拓撲中,利用其低損耗特性實�(xiàn)更高效率�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:適合筆記本電腦適配器、服�(wù)器電源模塊等�(lǐng)�,提供更快的動態(tài)響應(yīng)�
3. 電機�(qū)動:由于其高頻能�,可用于高性能無刷直流電機控制�
4. 無線充電�(shè)備:為消費電子產(chǎn)品提供更高效的無線能量傳輸解決方��
5. 快速充電器:憑借其快速開�(guān)能力,可滿足�(xiàn)代便攜式�(shè)備對高功率密度的需求�
NDS3105LT1G
NDC3106LT1G