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NDC3105LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 20:03:28 查看 閱讀�8

NDC3105LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻、高功率密度場景。這款器件采用增強� GaN 場效�(yīng)晶體� (eGaN FET) �(jié)�(gòu)�(shè)�,具有極低的導通電阻和快速開�(guān)性能,適合于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及無線充電等�(yīng)��
  相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,NDC3105LT1G 在高頻和高壓�(huán)境下表現(xiàn)出更�(yōu)異的性能,同時能夠顯著減少系�(tǒng)功耗和體積�

參數(shù)

漏源導通電�(Rds(on))�40 mΩ
  額定電壓(Vds)�100 V
  額定電流(Id)�12 A
  柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5 V � 3 V
  最大工作溫度范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:LLP-8

特�

NDC3105LT1G 的核心優(yōu)勢在于其出色的電氣特性和可靠性。首�,它擁有超低的導通電� Rds(on),僅� 40 毫歐�,可大幅降低傳導損��
  其次,其開關(guān)速度極快,具備低柵極電荷(Qg) 和輸出電�(Qoss),使得開�(guān)損耗顯著降�。在高頻操作�,這種特性可以有效提高效率并縮小無源元件尺寸�
  此外,該器件支持高達 100V 的工作電�,同時能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適用于惡劣�(huán)境條件下的工�(yè)及汽車應(yīng)用�
  最�,其 LLP-8 封裝提供了卓越的熱性能和緊湊的�(shè)�,有助于進一步優(yōu)� PCB 布局和散熱管理�

�(yīng)�

NDC3105LT1G 廣泛用于需要高效能和小型化的電力電子領(lǐng)�。典型應(yīng)用場景包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):特別是在圖騰柱 PFC 等拓撲中,利用其低損耗特性實�(xiàn)更高效率�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:適合筆記本電腦適配器、服�(wù)器電源模塊等�(lǐng)�,提供更快的動態(tài)響應(yīng)�
  3. 電機�(qū)動:由于其高頻能�,可用于高性能無刷直流電機控制�
  4. 無線充電�(shè)備:為消費電子產(chǎn)品提供更高效的無線能量傳輸解決方��
  5. 快速充電器:憑借其快速開�(guān)能力,可滿足�(xiàn)代便攜式�(shè)備對高功率密度的需求�

替代型號

NDS3105LT1G
  NDC3106LT1G

ndc3105lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ndc3105lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - �(nèi)部開�(guān)
  • 系列-
  • 類型-
  • 輸入類型-
  • 輸出�(shù)-
  • 導通狀�(tài)電阻-
  • 電流 - 輸出 / 通道-
  • 電流 - 峰值輸�-
  • 電源電壓-
  • 工作溫度-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NDC3105LT1G-NDNDC3105LT1GOSTR