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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NDD04N50ZT4G

NDD04N50ZT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:11:49 查看 閱讀�21

NDD04N50ZT4G是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用TO-247封裝形式。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,如開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)旨在�(shí)�(xiàn)高效率和低損�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度�
  此型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具備出色的雪崩擊穿能力和熱�(wěn)定性,適合在嚴(yán)苛的工作條件下使��

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�4A
  �(dǎo)通電阻:1.6Ω
  柵極電荷�18nC
  開關(guān)速度�30ns
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

NDD04N50ZT4G的主要特�(diǎn)是其高壓能力與低�(dǎo)通電阻之間的平衡。它能夠承受高達(dá)500V的漏源電�,同�(shí)提供較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損耗�
  該器件還具有較小的柵極電�,這有助于提高開關(guān)速度并降低開�(guān)損�。此�,其出色的熱�(wěn)定性和雪崩擊穿能力使其能夠在極端環(huán)境下可靠�(yùn)行�
  由于采用了TO-247封裝,該器件具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
  整體而言,NDD04N50ZT4G是一款專為高效能電力電子�(shè)備設(shè)�(jì)的MOSFET�

�(yīng)�

NDD04N50ZT4G廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 照明系統(tǒng)中的�(zhèn)流器
  6. 太陽(yáng)能逆變�
  這些�(yīng)用都依賴于其高壓操作能力、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性來(lái)�(shí)�(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)換和控制�

替代型號(hào)

NDD04N50ZT3G
  NDD04N50ZT2G
  IRFP460

ndd04n50zt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ndd04n50zt4g資料 更多>

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ndd04n50zt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 歐姆 @ 1.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds308pF @ 25V
  • 功率 - 最�61W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NDD04N50ZT4G-NDNDD04N50ZT4GOSTR