NDD04N50ZT4G是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用TO-247封裝形式。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,如開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)旨在�(shí)�(xiàn)高效率和低損�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度�
此型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具備出色的雪崩擊穿能力和熱�(wěn)定性,適合在嚴(yán)苛的工作條件下使��
最大漏源電壓:500V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:1.6Ω
柵極電荷�18nC
開關(guān)速度�30ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
NDD04N50ZT4G的主要特�(diǎn)是其高壓能力與低�(dǎo)通電阻之間的平衡。它能夠承受高達(dá)500V的漏源電�,同�(shí)提供較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損耗�
該器件還具有較小的柵極電�,這有助于提高開關(guān)速度并降低開�(guān)損�。此�,其出色的熱�(wěn)定性和雪崩擊穿能力使其能夠在極端環(huán)境下可靠�(yùn)行�
由于采用了TO-247封裝,該器件具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
整體而言,NDD04N50ZT4G是一款專為高效能電力電子�(shè)備設(shè)�(jì)的MOSFET�
NDD04N50ZT4G廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 照明系統(tǒng)中的�(zhèn)流器
6. 太陽(yáng)能逆變�
這些�(yīng)用都依賴于其高壓操作能力、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性來(lái)�(shí)�(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)換和控制�
NDD04N50ZT3G
NDD04N50ZT2G
IRFP460