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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NDD60N360U1T4G

NDD60N360U1T4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:48:12 查看 閱讀�28

NDD60N360U1T4G 是一款基于碳化硅(SiC)技�(shù)� MOSFET 器件,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器等場景。該器件采用 TO-247 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高效率并降低系統(tǒng)損��
  與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,NDD60N360U1T4G 由于使用� SiC 材料,在高溫、高壓以及高頻環(huán)境下表現(xiàn)更為出色,同�(shí)具備更小的熱阻和更高的功率密��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�60A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�95nC
  輸入電容�1500pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:80ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

NDD60N360U1T4G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保在高電流條件下減少傳導(dǎo)損��
  2. 高耐壓能力,支持高�(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)速度,減小開�(guān)損�,并提升整體系統(tǒng)效率�
  4. 使用碳化硅材�,使其在高溫�(huán)境下依然保持�(yōu)異性能�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),適合工�(yè)及汽車級�(yīng)��
  6. 良好的熱性能,封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化以提高散熱效果�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

該器件適用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  2. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的電�(jī)控制器�
  3. 工業(yè)�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的功率管理部分�
  5. 高頻開關(guān)電源的設(shè)�(jì)�
  6. 充電樁及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率變換電��
  7. 照明�(qū)�(dòng)器中的功率調(diào)節(jié)組件�

替代型號

NDS60N360U1T4G, C2M0060120D, SCT20N120

ndd60n360u1t4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ndd60n360u1t4g�(chǎn)�

ndd60n360u1t4g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)11A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)360 毫歐 @ 5.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)26 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)790 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)114W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DPAK
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63