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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NDF06N60ZG

NDF06N60ZG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 21:52:00 查看 閱讀�11

NDF06N60ZG是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管,采用TO-252封裝形式。這款器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率管理�(yīng)用中。其額定電壓�600V,能夠滿足大多數(shù)高壓�(yīng)用場(chǎng)景的需�,同�(shí)具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�6.7A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.3Ω
  柵極電荷�38nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間(典型值):ton=65ns, toff=80ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

NDF06N60ZG的核心優(yōu)�(shì)在于其高耐壓能力與較低的�(dǎo)通電�,這使得它在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件還具有以下特�(diǎn)�
  1. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒��
  2. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)�(jì)��
  3. 極小的柵極電荷和快速開(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損耗并提高效率�
  4. TO-252封裝提供良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��
  這些特性使其成為需要高效能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制單元�
  4. 各類保護(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)、負(fù)載切換等�
  NDF06N60ZG憑借其出色的電氣特性和可靠性,在上述應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出卓越的表現(xiàn)�

替代型號(hào)

NDF06N60G, IRF640

ndf06n60zg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ndf06n60zg資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ndf06n60zg參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.1A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1107pF @ 25V
  • 功率 - 最�35W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱NDF06N60ZG-NDNDF06N60ZGOS