NDS331N-NL是一種小信號(hào)N溝道MOSFET晶體管,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)和放大電路中。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較快的開(kāi)關(guān)速度,適合于各種便攜式設(shè)備、電源管理和信號(hào)處理應(yīng)用。其封裝形式為SOT-23,這種小型化封裝使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
該MOSFET在低電壓條件下表現(xiàn)優(yōu)異,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和低功耗的要求。
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±8V
持續(xù)漏極電流(Id):150mA
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.6Ω(典型值,Vgs=4.5V時(shí))
柵極電荷(Qg):1nC
總功耗(Ptot):400mW
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
NDS331N-NL采用增強(qiáng)型模式設(shè)計(jì),僅在正向柵極電壓下開(kāi)啟,從而保證了更高的穩(wěn)定性和可靠性。其SOT-23封裝提供了出色的熱性能和電氣性能,同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn)和組裝。此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
1. 超低導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 較寬的工作溫度范圍,確保在極端條件下的正常運(yùn)行。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
由于其緊湊的封裝和優(yōu)良的電氣性能,NDS331N-NL被廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流器。
2. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的信號(hào)切換。
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路。
5. 通信設(shè)備中的電源管理模塊。
此器件憑借其高效的開(kāi)關(guān)特性和穩(wěn)定的性能,在眾多便攜式和節(jié)能型產(chǎn)品設(shè)計(jì)中占據(jù)重要地位。
NDS351N, BSS138, 2N7000