時間：2025/6/6 10:21:17
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NDS355AN-NB9L007A是一款基于N溝道MOSFET技術的功率場效應晶體管，專為高頻開關和低導通電阻應用而設計。該器件采用先進的半導體工藝制造，具有優(yōu)異的開關特性和低功耗特性，廣泛適用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開關等領域。
其封裝形式為SOT23-3L，尺寸小巧且易于安裝，適合空間受限的應用場景。同時，該型號具備較低的柵極電荷和輸出電容，能夠有效降低開關損耗并提升效率。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：1.4A
脈沖漏極電流：4.2A
柵源電壓范圍：-0.3V 至 +6V
導通電阻（Rds(on)）：0.8Ω（典型值，在Vgs=4.5V時）
柵極電荷：1.5nC
總電容：22pF
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +150°C
1. 小型化SOT23-3L封裝，節(jié)省PCB板空間。
2. 低導通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導損耗。
3. 高速開關性能，適用于高頻電路設計。
4. 較低的柵極電荷和輸出電容，提升了效率和可靠性。
5. 工作溫度范圍廣，適應多種惡劣環(huán)境條件。
6. 符合RoHS標準，綠色環(huán)保。
1. 開關模式電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率開關。
3. 電池供電設備中的負載開關。
4. 消費類電子產(chǎn)品的過流保護電路。
5. 電機驅(qū)動和小型繼電器控制。
6. 各類便攜式設備中的電源管理單元。
NDS355AN, BSS138, SI2302DS
