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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NDS356AP-NB8L005A

NDS356AP-NB8L005A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:22:39 查看 閱讀�11

NDS356AP-NB8L005A是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,專為高�、高效率�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。它采用增強(qiáng)型GaN晶體管結(jié)�(gòu),能夠提供更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,從而減少能量損耗并提升系統(tǒng)性能。該器件通常�(yīng)用于電源管理�(lǐng)�,如DC-DC�(zhuǎn)換器、電池充電器和通信電源等�
  由于其出色的電氣特�,NDS356AP-NB8L005A適用于要求高能效和小型化�(shè)�(jì)的場(chǎng)�,同�(shí)支持更高的工作頻率,可有效減小外部元件體��

參數(shù)

額定電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�1.9A
  �(dǎo)通電阻:120mΩ
  柵極電荷�4nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:無反向恢�(fù)
  �(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:SOT-89

特�

1. 基于增強(qiáng)型氮化鎵技�(shù),具備超低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓特��
  2. 支持高達(dá)�(shù)MHz的開�(guān)頻率,顯著優(yōu)于傳�(tǒng)硅基MOSFET器件�
  3. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過流保�(hù)和靜電放電(ESD)防�(hù)能力�
  4. 無需額外�(qū)�(dòng)電路,簡化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  5. 高熱�(wěn)定�,能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致��
  6. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),有助于�(shí)�(xiàn)更小尺寸的終端產(chǎn)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 消費(fèi)��
  3. �(shù)�(jù)中心和電信設(shè)備中的高效電源模��
  4. 太陽能微型逆變器及能量存儲(chǔ)系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
  5. LED�(qū)�(dòng)器和其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

NDS356AP, EPC2016C, Infineon GAET65T6D

nds356ap-nb8l005a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nds356ap-nb8l005a參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.1A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)200 毫歐 @ 1.3A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)4.4 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)280 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3