類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�50 毫歐 @ 5.3A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�5.3A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�3V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�50nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �950pF @ 15V
功率 - 最大:1W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)