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NDS9933A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/11/22 17:57:36 查看 閱讀：364

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFETs - 陣列
FET 型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：140 毫歐 @ 2.8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2.8A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：8.5nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：405pF @ 10V
功率 - 最大：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（3.9mm 寬）
包裝：帶卷 (TR)

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nds9933a參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個(gè) P 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.8A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C140 毫歐 @ 2.8A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds405pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)