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NDT453N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 14:52:24 查看 閱讀：13

NDT453N是一種高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用TO-263封裝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　NDT453N的主要特點(diǎn)是其出色的開(kāi)關(guān)性能和熱穩(wěn)定性，非常適合需要高效能和高可靠性的應(yīng)用環(huán)境。同時(shí)，由于其較低的柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：38A
　　導(dǎo)通電阻：1.8mΩ
　　總柵極電荷：9nC
　　輸入電容：1070pF
　　工作溫度范圍：-55°C至+175°C

特性

NDT453N具備以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）使得在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下能夠有效降低功耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能得益于較低的柵極電荷和輸出電荷，適用于高頻開(kāi)關(guān)電路。
　　3. 具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
　　4. 小尺寸的TO-263封裝有助于節(jié)省PCB空間，同時(shí)提供良好的散熱性能。
　　5. 支持寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。

應(yīng)用

NDT453N適用于多種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. 各類(lèi)負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的功率管理模塊。
　　6. 汽車(chē)電子中的高邊/低邊開(kāi)關(guān)控制。
　　7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　STP36NF06
　　FDP5500

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ndt453n參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C28 毫歐 @ 8A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds890pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4，TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-223-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NDT453NTR