NFM51R00P506是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。該器件具有高開(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,NFM51R00P506能夠在更高的頻率下運(yùn)行,同時(shí)保持較低的損��
由于其出色的性能,這款器件特別適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、無(wú)線充電設(shè)備和其他需要高效功率管理的�(chǎng)��
型號(hào):NFM51R00P506
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):50mΩ
電壓等級(jí)(Vds):100V
電流等級(jí)(Id):18A
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.3V
最大工作溫度范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:PQFN 8x8
NFM51R00P506采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù)制�,具備以下特�(diǎn)�
1. 高效性能:低�(dǎo)通電阻和低開(kāi)�(guān)損耗確保在高頻�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效��
2. 快速開(kāi)�(guān):能夠支持MHz�(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率,非常適合高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
3. 熱穩(wěn)定性:在寬溫度范圍�(nèi)表現(xiàn)出色,適合工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)��
4. 小尺寸封裝:PQFN 8x8封裝減少了電路板空間占用,并有助于提高功率密度�
5. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,滿足各種嚴(yán)苛環(huán)境下的使用需求�
NFM51R00P506廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
1. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)器電�、通信電源等場(chǎng)景�
2. �(wú)線充電:支持更高功率的無(wú)線充電設(shè)�,提升充電效率�
3. 激光雷�(dá)(LiDAR):為自�(dòng)駕駛和無(wú)人機(jī)提供高效的脈沖驅(qū)�(dòng)功能�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于消費(fèi)電子、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化中的電�(jī)控制�
5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):如電池管理系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部��
NFM51R00P506A