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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NGB8206NT4

NGB8206NT4 發(fā)布時間 時間�2023/11/22 17:39:56 查看 閱讀�216

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: ON Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-263-3
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 390 V
集電極—射極擊穿電�: 350 V
集電極—射極飽和電�: 5 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 15 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 20 A
柵極—射極漏泄電�: 150 W
功率耗散: 150 W
封裝: Reel
配置: Single

ngb8206nt4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ngb8206nt4資料 更多>

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ngb8206nt4參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)390V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�1.9V @ 4.5V�20A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)20A
  • 功率 - 最�150W
  • 輸入類型邏輯
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)