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NGTB03N60R2DT4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 21:01:48 查看 閱讀：12

NGTB03N60R2DT4G 是一款由 Nexperia（原 Philips 半導(dǎo)體）生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 芯片。該芯片設(shè)計(jì)用于高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和其他工業(yè)電子設(shè)備中。
　　該型號(hào)具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。

參數(shù)

類(lèi)型：N溝道 MOSFET
　　最大漏源電壓 VDS：600V
　　最大柵源電壓 VGS：±20V
　　連續(xù)漏極電流 ID：3A
　　脈沖漏極電流 IXP：18A
　　導(dǎo)通電阻 RDS(on)：4.5Ω（在 VGS=10V 時(shí)）
　　總功耗 PD：260W
　　結(jié)溫范圍 Tj：-55°C 至 +150°C
　　封裝形式：TO-252 (DPAK)

特性

這款 MOSFET 的主要特點(diǎn)包括：
　　1. 高耐壓能力：支持高達(dá) 600V 的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：在典型工作條件下，導(dǎo)通電阻僅為 4.5Ω，從而減少了導(dǎo)通損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度：具備較低的輸入和輸出電容，確�？焖匍_(kāi)關(guān)性能。
　　4. 高可靠性：經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量測(cè)試，確保在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 小型化封裝：采用 TO-252 封裝，節(jié)省電路板空間，適合緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

NGTB03N60R2DT4G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：
　　 - 離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源
　　 - DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：
　　 - 步進(jìn)電機(jī)控制器
　　 - 無(wú)刷直流電機(jī)控制
　　3. 工業(yè)電子：
　　 - 逆變器
　　 - 可編程邏輯控制器（PLC）
　　4. 家用電器：
　　 - 洗衣機(jī)、空調(diào)等家電中的電機(jī)控制模塊
　　5. 其他需要高效功率切換的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

NTBG03N60R2DT4G, PSMN032-60YSK

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ngtb03n60r2dt4g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類(lèi)型-
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）600 V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）9 A
  • 電流 - 集電極脈沖 (Icm)12 A
  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）2.1V @ 15V，3A
  • 功率 - 最大值49 W
  • 開(kāi)關(guān)能量50μJ（開(kāi)），27μJ（關(guān)）
  • 輸入類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷17 nC
  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值27ns/59ns
  • 測(cè)試條件300V，3A，30 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)65 ns
  • 工作溫度175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝DPAK