NGTB10N60R2DT4G 是一款由 Nexperia(原恩智浦半導體分立器件部門)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 DPAK (TO-252) 封裝,適用于高效率開關電�、DC-DC 轉換�、電機驅動以及其他功率管理應�。其額定電壓� 60V,具有低導通電阻和快速開關特�,適合需要高效能和高可靠性的電路設計�
這款功率 MOSFET 的主要特點是低導通電� RDS(on),能夠顯著減少傳導損耗,同時具備較低的柵極電� Qg,有助于提高開關頻率并降低開關損耗�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電� RDS(on)�2.7mΩ(在 VGS=10V 時)
柵極電荷 Qg�28nC
總電� Ciss�1390pF
工作結溫范圍�-55� � +175�
封裝形式:DPAK (TO-252)
NGTB10N60R2DT4G 具有以下關鍵特性:
1. 額定電壓� 60V,適用于中低壓功率轉換場��
2. 極低的導通電� RDS(on),僅� 2.7mΩ(典型值),能夠在高電流條件下有效降低功率損��
3. 柵極電荷 Qg 較小,為 28nC,確保了快速開關性能和高頻應用能��
4. 支持高達 10A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率應用需求�
5. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175℃,適應各種惡劣�(huán)��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于使用在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
7. DPAK (TO-252) 封裝提供良好的散熱性能和機械強��
NGTB10N60R2DT4G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開��
2. 電機驅動和控制電路中的功率級元件�
3. 各種負載切換和保護電��
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換和驅動部分�
由于其出色的電氣特性和可靠�,該器件成為許多功率轉換和驅動應用的理想選擇�
NTBG10N60L2DT4G, IRF540N