時間：2025/4/28 16:39:21
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NGTB10N60R2DT4G 是一款由 Nexperia（原恩智浦半導體分立器件部門）生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 DPAK (TO-252) 封裝，適用于高效率開關電源、DC-DC 轉換器、電機驅動以及其他功率管理應用。其額定電壓為 60V，具有低導通電阻和快速開關特性，適合需要高效能和高可靠性的電路設計。
這款功率 MOSFET 的主要特點是低導通電阻 RDS(on)，能夠顯著減少傳導損耗，同時具備較低的柵極電荷 Qg，有助于提高開關頻率并降低開關損耗。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：10A
導通電阻 RDS(on)：2.7mΩ（在 VGS=10V 時）
柵極電荷 Qg：28nC
總電容 Ciss：1390pF
工作結溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：DPAK (TO-252)
NGTB10N60R2DT4G 具有以下關鍵特性：
1. 額定電壓為 60V，適用于中低壓功率轉換場景。
2. 極低的導通電阻 RDS(on)，僅為 2.7mΩ（典型值），能夠在高電流條件下有效降低功率損耗。
3. 柵極電荷 Qg 較小，為 28nC，確保了快速開關性能和高頻應用能力。
4. 支持高達 10A 的連續(xù)漏極電流，滿足大功率應用需求。
5. 工作溫度范圍寬廣，從 -55℃ 到 +175℃，適應各種惡劣環(huán)境。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且易于使用在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
7. DPAK (TO-252) 封裝提供良好的散熱性能和機械強度。
NGTB10N60R2DT4G 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中的功率開關。
2. 電機驅動和控制電路中的功率級元件。
3. 各種負載切換和保護電路。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊。
6. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換和驅動部分。
由于其出色的電氣特性和可靠性，該器件成為許多功率轉換和驅動應用的理想選擇。
NTBG10N60L2DT4G, IRF540N
