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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 16:39:21 查看 閱讀�33

NGTB10N60R2DT4G 是一款由 Nexperia(原恩智浦半導體分立器件部門)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 DPAK (TO-252) 封裝,適用于高效率開關電�、DC-DC 轉換�、電機驅動以及其他功率管理應�。其額定電壓� 60V,具有低導通電阻和快速開關特�,適合需要高效能和高可靠性的電路設計�
  這款功率 MOSFET 的主要特點是低導通電� RDS(on),能夠顯著減少傳導損耗,同時具備較低的柵極電� Qg,有助于提高開關頻率并降低開關損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�10A
  導通電� RDS(on)�2.7mΩ(在 VGS=10V 時)
  柵極電荷 Qg�28nC
  總電� Ciss�1390pF
  工作結溫范圍�-55� � +175�
  封裝形式:DPAK (TO-252)

特�

NGTB10N60R2DT4G 具有以下關鍵特性:
  1. 額定電壓� 60V,適用于中低壓功率轉換場��
  2. 極低的導通電� RDS(on),僅� 2.7mΩ(典型值),能夠在高電流條件下有效降低功率損��
  3. 柵極電荷 Qg 較小,為 28nC,確保了快速開關性能和高頻應用能��
  4. 支持高達 10A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率應用需求�
  5. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175℃,適應各種惡劣�(huán)��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于使用在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
  7. DPAK (TO-252) 封裝提供良好的散熱性能和機械強��

應用

NGTB10N60R2DT4G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開��
  2. 電機驅動和控制電路中的功率級元件�
  3. 各種負載切換和保護電��
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換和驅動部分�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,該器件成為許多功率轉換和驅動應用的理想選擇�

替代型號

NTBG10N60L2DT4G, IRF540N

ngtb10n60r2dt4g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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ngtb10n60r2dt4g資料 更多>

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ngtb10n60r2dt4g�(chǎn)�

ngtb10n60r2dt4g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)600 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)20 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)40 A
  • 不同?Vge、Ic �?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V�10A
  • 功率 - 最大�72 W
  • 開關能量412μJ(開��140μJ(關�
  • 輸入類型標準
  • 柵極電荷53 nC
  • 25°C � Td(開/關)�48ns/120ns
  • 測試條件300V�10A�30 歐姆�15V
  • 反向恢復時間 (trr)90 ns
  • 工作溫度175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63
  • 供應商器件封�DPAK