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時(shí)間：2025/4/29 18:20:06
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NGTB15N60S1EG 是一款由 Nexperia（原恩智浦半導(dǎo)體分立器件部門）生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該型號(hào)采用 TO-263 (DPAK) 封裝形式，具有高效率、低導(dǎo)通電阻以及出色的開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制領(lǐng)域。
這款 MOSFET 的最大特點(diǎn)是其額定電壓為 600V，適合在高壓環(huán)境中使用，并且其導(dǎo)通電阻較低，能夠減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：15A
導(dǎo)通電阻：1.4Ω
柵極電荷：9nC
開關(guān)速度：快速
封裝形式：TO-263 (DPAK)
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
NGTB15N60S1EG 具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力：其 600V 的漏源電壓使其非常適合應(yīng)用于需要高電壓的場(chǎng)景，例如工業(yè)電源、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
2. 低導(dǎo)通電阻：1.4Ω 的典型導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損耗，提高了整體能效，尤其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
3. 快速開關(guān)性能：得益于其低柵極電荷（9nC），該 MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)操作，從而減少開關(guān)損耗并提升高頻應(yīng)用中的效率。
4. 高可靠性：采用堅(jiān)固的設(shè)計(jì)和嚴(yán)格的制造工藝，確保在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。
5. 緊湊封裝：TO-263 封裝提供了良好的散熱性能，同時(shí)節(jié)省了 PCB 空間。
NGTB15N60S1EG 適用于多種功率電子應(yīng)用，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：用于主開關(guān)管或同步整流電路。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于各類直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制。
3. 逆變器：在太陽能逆變器和其他類型的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中作為關(guān)鍵功率元件。
4. 工業(yè)自動(dòng)化：如固態(tài)繼電器、電磁閥驅(qū)動(dòng)等。
5. 汽車電子：可用于汽車照明、啟動(dòng)電機(jī)控制等領(lǐng)域。
6. 電池保護(hù)：在電池管理系統(tǒng)中提供過流保護(hù)和充放電控制功能。
NTBG15N60S1EG
IRFP460
FDP15N60E
