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NGTB15N60S1EG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:20:06 查看 閱讀�30

NGTB15N60S1EG 是一款由 Nexperia(原恩智浦半�(dǎo)體分立器件部門)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該型號(hào)采用 TO-263 (DPAK) 封裝形式,具有高效率、低�(dǎo)通電阻以及出色的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載控制領(lǐng)��
  這款 MOSFET 的最大特�(diǎn)是其額定電壓� 600V,適合在高壓�(huán)境中使用,并且其�(dǎo)通電阻較�,能夠減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:1.4Ω
  柵極電荷�9nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-263 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

NGTB15N60S1EG 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:其 600V 的漏源電壓使其非常適合應(yīng)用于需要高電壓的場(chǎng)�,例如工�(yè)電源、逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:1.4Ω 的典型導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損�,提高了整體能效,尤其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
  3. 快速開�(guān)性能:得益于其低柵極電荷�9nC),� MOSFET 可以�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)操作,從而減少開�(guān)損耗并提升高頻�(yīng)用中的效��
  4. 高可靠性:采用�(jiān)固的�(shè)�(jì)和嚴(yán)格的制造工藝,確保在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定��
  5. 緊湊封裝:TO-263 封裝提供了良好的散熱性能,同�(shí)節(jié)省了 PCB 空間�

�(yīng)�

NGTB15N60S1EG 適用于多種功率電子應(yīng)用,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于主開�(guān)管或同步整流電路�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于各類直流電機(jī)的驅(qū)�(dòng)和控制�
  3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他類型的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中作為�(guān)鍵功率元��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:如固�(tài)繼電�、電磁閥�(qū)�(dòng)��
  5. 汽車電子:可用于汽車照明、啟�(dòng)電機(jī)控制等領(lǐng)��
  6. 電池保護(hù):在電池管理系統(tǒng)中提供過流保�(hù)和充放電控制功能�

替代型號(hào)

NTBG15N60S1EG
  IRFP460
  FDP15N60E

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 類別未定義的類別
  • 家庭未定義的系列
  • 系列*