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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NGTB20N120IHTG

NGTB20N120IHTG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 9:33:15 查看 閱讀�37

NGTB20N120IHTG是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓MOSFET,采用TO-247封裝形式。這款MOSFET主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�,具備低�(dǎo)通電阻和高耐壓的特�(diǎn),能夠滿足高效能功率�(zhuǎn)換的需��
  該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具�1200V的額定擊穿電�,可以承受較高的漏源電壓,非常適合用于工�(yè)及汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:350mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:240W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

NGTB20N120IHTG具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高耐壓能力,適用于高電壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,可�(shí)�(xiàn)高頻操作�
  4. �(qiáng)勁的雪崩能力,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  5. 寬廣的工作溫度范�,使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
  總體而言,這款MOSFET以其�(yōu)異的電氣性能和可靠性,成為高電壓功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇�

�(yīng)�

NGTB20N120IHTG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  3. 新能源領(lǐng)域,如太�(yáng)能逆變器和電動(dòng)車充電設(shè)��
  4. 高壓�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 汽車電子中的各類高壓�(qū)�(dòng)電路�
  由于其高耐壓特性和大電流承載能力,它特別適合需要處理高電壓、大功率的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

NTBFS20N120HFT1G, IRGB20B120D2, FGA20N120AMD

ngtb20n120ihtg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ngtb20n120ihtg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�90 : �33.58922管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)-
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)-
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)-
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)-
  • 功率 - 最大�-
  • �(kāi)�(guān)能量-
  • 輸入類型-
  • 柵極電荷-
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�-
  • �(cè)試條�-
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 工作溫度-
  • 安裝類型-
  • 封裝/外殼-
  • 供應(yīng)商器件封�-