NGTB20N120IHWG是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的高壓MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn),適用于工業(yè)、電源管理和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
這款MOSFET的工作電壓高�(dá)1200V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)提供較低的導(dǎo)通損�,非常適合開(kāi)�(guān)電源、逆變器以及不間斷電源(UPS)中的功率轉(zhuǎn)換電��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.35Ω
柵極電荷(典型值)�80nC
輸入電容(典型值)�1620pF
�(kāi)�(guān)�(shí)間(典型值):ton=69ns, toff=89ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
NGTB20N120IHWG具備高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特�,確保了其在高壓�(huán)境下?lián)碛谐錾男时憩F(xiàn)。它采用了先�(jìn)的制造工�,使其具備以下特�(diǎn)�
- 極高的擊穿電壓(1200V),可應(yīng)�(duì)極端條件下的電壓波動(dòng)�
- 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�1.35Ω�,從而減少傳�(dǎo)損耗�
- 良好的熱�(wěn)定�,允許其在高溫環(huán)境中持續(xù)�(yùn)行�
- 高雪崩能量能�,增�(qiáng)系統(tǒng)在異常情況下的可靠��
- TO-247封裝�(shè)�(jì),便于散熱并�(jiǎn)化PCB布局�
- 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要��
該器件廣泛應(yīng)用于各種高壓電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下場(chǎng)景:
- �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
- 太陽(yáng)能逆變�
- 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 不間斷電源(UPS�
- 電動(dòng)�(chē)輛的DC/DC�(zhuǎn)換器
- 高頻諧振變換�
- PFC(功率因�(shù)校正)電�
NTBG20N120IHWG, FGH20N120MD, IRGB20N120DPBF