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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NGTB20N120IHWG

NGTB20N120IHWG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 11:24:40 查看 閱讀�20

NGTB20N120IHWG是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的高壓MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點(diǎn),適用于工業(yè)、電源管理和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
  這款MOSFET的工作電壓高�(dá)1200V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)提供較低的導(dǎo)通損�,非常適合開(kāi)�(guān)電源、逆變器以及不間斷電源(UPS)中的功率轉(zhuǎn)換電��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.35Ω
  柵極電荷(典型值)�80nC
  輸入電容(典型值)�1620pF
  �(kāi)�(guān)�(shí)間(典型值):ton=69ns, toff=89ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

NGTB20N120IHWG具備高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特�,確保了其在高壓�(huán)境下?lián)碛谐錾男时憩F(xiàn)。它采用了先�(jìn)的制造工�,使其具備以下特�(diǎn)�
  - 極高的擊穿電壓(1200V),可應(yīng)�(duì)極端條件下的電壓波動(dòng)�
  - 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�1.35Ω�,從而減少傳�(dǎo)損耗�
  - 良好的熱�(wěn)定�,允許其在高溫環(huán)境中持續(xù)�(yùn)行�
  - 高雪崩能量能�,增�(qiáng)系統(tǒng)在異常情況下的可靠��
  - TO-247封裝�(shè)�(jì),便于散熱并�(jiǎn)化PCB布局�
  - 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于各種高壓電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  - 太陽(yáng)能逆變�
  - 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  - 不間斷電源(UPS�
  - 電動(dòng)�(chē)輛的DC/DC�(zhuǎn)換器
  - 高頻諧振變換�
  - PFC(功率因�(shù)校正)電�

替代型號(hào)

NTBG20N120IHWG, FGH20N120MD, IRGB20N120DPBF

ngtb20n120ihwg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ngtb20n120ihwg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT �(lèi)�溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1200 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)40 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)80 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2.65V @ 15V�20A
  • 功率 - 最大�341 W
  • �(kāi)�(guān)能量480μJ(關(guān)�
  • 輸入�(lèi)��(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷150 nC
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�-/170ns
  • �(cè)試條�600V�20A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-3