時間：2025/4/28 15:48:48
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NGTB20N135IHRWG 是一款由 Nexperia 生產(chǎn)的增強型 N 溝道功率 MOSFET，采用 Trench 技術(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載切換等場景。其封裝形式為 DPAK (TO-252)，適合表面貼裝工藝，同時具備出色的熱性能和電氣性能。
該型號是工業(yè)級產(chǎn)品，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行，滿足多種工業(yè)應(yīng)用需求。
最大漏源電壓：135V
連續(xù)漏極電流：20A
導(dǎo)通電阻（典型值）：160mΩ
柵極電荷：40nC
總電容：180pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：DPAK (TO-252)
功耗：17.5W
NGTB20N135IHRWG 的主要特性包括：
1. 高電壓承受能力：額定漏源電壓高達 135V，適用于多種高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻：典型值僅為 160mΩ，在高頻開關(guān)應(yīng)用中能夠顯著降低導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)性能：低柵極電荷和總電容設(shè)計使其具備快速的開關(guān)速度，有助于提高系統(tǒng)效率。
4. 工業(yè)級可靠性：能夠在 -55℃ 至 +175℃ 的寬溫范圍內(nèi)正常工作，確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性。
5. 表面貼裝封裝：DPAK 封裝便于自動化生產(chǎn)，同時提供良好的散熱性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保無鉛設(shè)計，滿足國際環(huán)保法規(guī)要求。
該 MOSFET 廣泛用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流或功率級開關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心開關(guān)元件。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率控制。
4. 各類負載切換應(yīng)用，例如電池保護、繼電器替代等。
5. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)的輔助功率控制（需確認(rèn)具體 AEC-Q101 認(rèn)證情況）。
NTBG20N135H, IRF540N, FDP18N13E
