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時(shí)間：2025/4/28 20:13:26
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NGTB40N120FL3WG 是一款由 Nexperia（前身為恩智浦半導(dǎo)體的一部分）生產(chǎn)的 N 灃道通晶體管，屬于 MOSFET 類型。該器件采用先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。這種器件通常用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，例如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。
類型：N-channel MOSFET
最大漏源電壓 Vds：1200V
最大連續(xù)漏極電流 Id：40A
導(dǎo)通電阻 Rds(on)：125mΩ（典型值，在特定條件下）
柵極電荷 Qg：86nC（典型值）
總電容 Ciss：3170pF（典型值）
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：DPAK (TO-263)
功耗：取決于實(shí)際電路設(shè)計(jì)
NGTB40N120FL3WG 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的電氣性能。其低導(dǎo)通電阻確保了在高電流應(yīng)用中的效率最大化，并減少熱量產(chǎn)生。
這款 MOSFET 具有快速開關(guān)特性，能夠降低開關(guān)損耗，非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
此外，其高達(dá) 1200V 的漏源電壓使其適用于高壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
由于其能夠在 -55°C 至 +175°C 的寬溫度范圍內(nèi)工作，因此適用于各種工業(yè)和汽車環(huán)境。
NGTB40N120FL3WG 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
4. 太陽能逆變器
5. 電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
6. 高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
7. PFC（功率因數(shù)校正）電路
由于其高電壓能力和高效率，該器件成為許多高壓應(yīng)用的理想選擇。
NTB40N120N3G
IPW40N120C3
IXTH40N120P3
