NGTB40N120IHRWG是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-247封裝,具有高耐壓、低導通電阻和快速開關特性,適用于工�(yè)、汽車及消費電子領域的各種功率轉(zhuǎn)換應用。這款MOSFET的最大漏源極電壓�1200V,連續(xù)漏極電流可達40A,非常適合高壓環(huán)境下的電力傳輸與控制�
NGTB40N120IHRWG還采用了先進的IGBT技�,提供更小的開關損耗和更高的效�,同時具備雪崩能量能力以提高系統(tǒng)可靠��
最大漏源極電壓�1200V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:95mΩ(典型值,在Vgs=15V時)
柵極電荷�138nC(典型值)
總功耗:360W
工作結溫范圍�-55℃至175�
NGTB40N120IHRWG具有以下顯著特性:
1. 高電壓處理能�,適�1200V以上的應用場��
2. 極低的導通電阻確保高效運�,并減少功率損��
3. 快速開關性能使其在高頻應用中表現(xiàn)�(yōu)異;
4. �(nèi)置保護功�,包括雪崩能力和抗靜電能力,增強了整體穩(wěn)定��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 具有出色的熱性能,適應極端溫度條��
這款MOSFET廣泛應用于以下領域:
1. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動和逆變器;
2. 太陽能逆變器和風力�(fā)電系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊;
3. 不間斷電源(UPS)和開關模式電源(SMPS��
4. 電動車(EV)和混合動力車(HEV)中的牽引逆變器;
5. 高壓直流輸電(HVDC)和其他高壓電力系統(tǒng)�
6. 各種需要高效率、高可靠性的功率管理場景�
NTGB40N120HFG
IRG4PC40KD
STGW40H65DFD