時間：2025/5/8 11:06:21
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NGTB40N120IHRWG是一款由安森美（ON Semiconductor）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有高耐壓、低導通電阻和快速開關特性，適用于工業(yè)、汽車及消費電子領域的各種功率轉(zhuǎn)換應用。這款MOSFET的最大漏源極電壓為1200V，連續(xù)漏極電流可達40A，非常適合高壓環(huán)境下的電力傳輸與控制。
NGTB40N120IHRWG還采用了先進的IGBT技術，提供更小的開關損耗和更高的效率，同時具備雪崩能量能力以提高系統(tǒng)可靠性。
最大漏源極電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：40A
導通電阻：95mΩ（典型值，在Vgs=15V時）
柵極電荷：138nC（典型值）
總功耗：360W
工作結溫范圍：-55℃至175℃
NGTB40N120IHRWG具有以下顯著特性：
1. 高電壓處理能力，適合1200V以上的應用場景；
2. 極低的導通電阻確保高效運行，并減少功率損耗；
3. 快速開關性能使其在高頻應用中表現(xiàn)優(yōu)異；
4. 內(nèi)置保護功能，包括雪崩能力和抗靜電能力，增強了整體穩(wěn)定性；
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求；
6. 具有出色的熱性能，適應極端溫度條件。
這款MOSFET廣泛應用于以下領域：
1. 工業(yè)設備中的電機驅(qū)動和逆變器；
2. 太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊；
3. 不間斷電源（UPS）和開關模式電源（SMPS）；
4. 電動車（EV）和混合動力車（HEV）中的牽引逆變器；
5. 高壓直流輸電（HVDC）和其他高壓電力系統(tǒng)；
6. 各種需要高效率、高可靠性的功率管理場景。
NTGB40N120HFG
IRG4PC40KD
STGW40H65DFD
