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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NGTB40N120IHRWG

NGTB40N120IHRWG 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 11:06:21 查看 閱讀�19

NGTB40N120IHRWG是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-247封裝,具有高耐壓、低導通電阻和快速開關特性,適用于工�(yè)、汽車及消費電子領域的各種功率轉(zhuǎn)換應用。這款MOSFET的最大漏源極電壓�1200V,連續(xù)漏極電流可達40A,非常適合高壓環(huán)境下的電力傳輸與控制�
  NGTB40N120IHRWG還采用了先進的IGBT技�,提供更小的開關損耗和更高的效�,同時具備雪崩能量能力以提高系統(tǒng)可靠��

參數(shù)

最大漏源極電壓�1200V
  連續(xù)漏極電流�40A
  導通電阻:95mΩ(典型值,在Vgs=15V時)
  柵極電荷�138nC(典型值)
  總功耗:360W
  工作結溫范圍�-55℃至175�

特�

NGTB40N120IHRWG具有以下顯著特性:
  1. 高電壓處理能�,適�1200V以上的應用場��
  2. 極低的導通電阻確保高效運�,并減少功率損��
  3. 快速開關性能使其在高頻應用中表現(xiàn)�(yōu)異;
  4. �(nèi)置保護功�,包括雪崩能力和抗靜電能力,增強了整體穩(wěn)定��
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. 具有出色的熱性能,適應極端溫度條��

應用

這款MOSFET廣泛應用于以下領域:
  1. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動和逆變器;
  2. 太陽能逆變器和風力�(fā)電系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊;
  3. 不間斷電源(UPS)和開關模式電源(SMPS��
  4. 電動車(EV)和混合動力車(HEV)中的牽引逆變器;
  5. 高壓直流輸電(HVDC)和其他高壓電力系統(tǒng)�
  6. 各種需要高效率、高可靠性的功率管理場景�

替代型號

NTGB40N120HFG
  IRG4PC40KD
  STGW40H65DFD

ngtb40n120ihrwg推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
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ngtb40n120ihrwg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�43�(xiàn)�
  • 價格1 : �46.27000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類型溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1200 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)80 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic �?Vce(on)(最大值)2.55V @ 15V�40A
  • 功率 - 最大�384 W
  • 開關能量950μJ(關�
  • 輸入類型標準
  • 柵極電荷225 nC
  • 25°C � Td(開/關)�-/230ns
  • 測試條件600V�40A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復時間 (trr)-
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應商器件封�TO-247