NGTB40N65FL2WG是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)。該器件屬于N溝道增強型MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等功率�(zhuǎn)換場�。其�(shè)計優(yōu)化了�(dǎo)通電阻和開關(guān)速度,從而提高了效率并降低了能耗�
這款MOSFET采用了先進的制造工�,具備高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點,適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用環(huán)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�75nC
總電容:2100pF
工作溫度范圍�-55� to +150�
NGTB40N65FL2WG具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(650V)確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 低導(dǎo)通電阻(0.18Ω)有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力使其適用于高頻應(yīng)用場合�
4. 提供�(yōu)異的熱性能,支持長時間高負載運��
5. 封裝形式緊湊,便于集成到各種電路板中�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
該型號的MOSFET適用于多種工�(yè)和消費電子領(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動和控制
3. 逆變器和�(zhuǎn)換器
4. 充電器和適配�
5. LED�(qū)動器
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模�
其強大的性能和可靠性使得它成為許多大功率應(yīng)用場景的理想選擇�
NGTB50N65FL2WG, IRFP460, STW83N65M2