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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 19:10:58 查看 閱讀�41

NGTD14T65F2WP 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高功率應用設計。該器件采用了先進的工藝技�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,從而提升了系統(tǒng)的整體效�。其封裝形式� DPAK(TO-252�,適用于表面貼裝技術(SMT�。這款 MOSFET 廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC 轉換器等領域�

參數

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�14A
  導通電阻:0.3Ω
  柵極電荷�35nC
  總熱阻(結到殼)�47°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

NGTD14T65F2WP 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:650V 的漏源電壓使其適合高壓環(huán)境中的應用�
  2. 低導通電阻:僅為 0.3Ω,減少了傳導損耗并提高了效率�
  3. 快速開關性能:得益于�(yōu)化的柵極電荷設計,開關速度較快,能夠降低開關損��
  4. 高溫適應性:工作溫度范圍可達 -55°C � +175°C,適用于惡劣�(huán)��
  5. 封裝緊湊:采� DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間且支持高效的散熱管理�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS):用于高效能量轉��
  2. DC-DC 轉換器:提供�(wěn)定的電壓輸出�
  3. 電機驅動:用于控制電機的速度和方��
  4. 工業(yè)設備:如變頻器、逆變器等需要高可靠性和效率的應��
  5. 汽車電子:在車載系統(tǒng)中作為關鍵的功率開關元件�

替代型號

NTD14T65Z, IRFZ44N, FDP14N65S

ngtd14t65f2wp推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ngtd14t65f2wp參數

  • �(xiàn)有數�0�(xiàn)�
  • 價格168 : �16.05929散裝
  • 系列-
  • 包裝散裝
  • 產品狀�(tài)在售
  • IGBT 類型溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)-
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic �?Vce(on)(最大值)2V @ 15V�35A
  • 功率 - 最大�-
  • 開關能量-
  • 輸入類型標準
  • 柵極電荷-
  • 25°C � Td(開/關)�-
  • 測試條件-
  • 反向恢復時間 (trr)-
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼模具
  • 供應商器件封�模具