NGTD14T65F2WP 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高功率應用設計。該器件采用了先進的工藝技�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,從而提升了系統(tǒng)的整體效�。其封裝形式� DPAK(TO-252�,適用于表面貼裝技術(SMT�。這款 MOSFET 廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC 轉換器等領域�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�14A
導通電阻:0.3Ω
柵極電荷�35nC
總熱阻(結到殼)�47°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
NGTD14T65F2WP 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:650V 的漏源電壓使其適合高壓環(huán)境中的應用�
2. 低導通電阻:僅為 0.3Ω,減少了傳導損耗并提高了效率�
3. 快速開關性能:得益于�(yōu)化的柵極電荷設計,開關速度較快,能夠降低開關損��
4. 高溫適應性:工作溫度范圍可達 -55°C � +175°C,適用于惡劣�(huán)��
5. 封裝緊湊:采� DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間且支持高效的散熱管理�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS):用于高效能量轉��
2. DC-DC 轉換器:提供�(wěn)定的電壓輸出�
3. 電機驅動:用于控制電機的速度和方��
4. 工業(yè)設備:如變頻器、逆變器等需要高可靠性和效率的應��
5. 汽車電子:在車載系統(tǒng)中作為關鍵的功率開關元件�
NTD14T65Z, IRFZ44N, FDP14N65S