NGTG35N65FL2WG是一款由 Nexperia(原飛利浦半導(dǎo)體分立器件部門(mén))生產(chǎn)的高壓功率MOSFET,采用TO-263-3L封裝形式。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能和高可靠性的電路中。
這款MOSFET的設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效率,同時(shí)具有快速開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。它適用于要求嚴(yán)格的工作環(huán)境,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載。
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流:35A
導(dǎo)通電阻:180mΩ
柵極閾值電壓:4V
功耗:297W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
NGTG35N65FL2WG 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為650V,適合在高壓環(huán)境下使用。
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),典型值為180mΩ,在高頻開(kāi)關(guān)條件下可減少功率損耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失。
4. TO-263-3L 封裝提供了良好的散熱性能,能夠有效管理熱量。
5. 極寬的工作溫度范圍(-55°C至+175°C),確保其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿(mǎn)足國(guó)際規(guī)范要求。
該MOSFET廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電器等。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管理。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),監(jiān)控和保護(hù)鋰離子電池組。
5. 汽車(chē)電子設(shè)備,例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)和電動(dòng)車(chē)窗控制。
6. 太陽(yáng)能逆變器,將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
IRFZ44N
STP36NF06
FQP50N06L