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NIF62514T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 10:23:51 查看 閱讀：10

NIF62514T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，由 Wolfspeed（原 Cree）生產(chǎn)。該器件采用常關(guān)型設(shè)計(jì)，適用于高頻和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。其卓越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為電源轉(zhuǎn)換、射頻放大器和其他高性能應(yīng)用的理想選擇。
　　該型號(hào)采用了 GaN-on-SiC 技術(shù)，具備出色的散熱性能和可靠性，同時(shí)支持高達(dá) 650V 的工作電壓。NIF62514T1G 的封裝形式為 TO-247-4L，便于集成到各種功率系統(tǒng)中。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：8A
　　導(dǎo)通電阻：14mΩ
　　柵極電荷：90nC
　　開(kāi)關(guān)頻率：最高支持 MHz 級(jí)別
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

NIF62514T1G 擁有以下顯著特性：
　　1. 高擊穿電壓：650V 的額定電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻：僅為 14mΩ，能夠顯著降低導(dǎo)通損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度：得益于 GaN 材料的優(yōu)異性能，支持 MHz 級(jí)別的開(kāi)關(guān)頻率。
　　4. 高熱穩(wěn)定性：采用 SiC 基板，具有優(yōu)秀的散熱能力，可在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
　　5. 常關(guān)型設(shè)計(jì)：增強(qiáng)了安全性和易用性，避免了靜態(tài)功耗問(wèn)題。
　　6. 小型化封裝：TO-247-4L 封裝兼顧緊湊性和易用性，適合多種應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

NIF62514T1G 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高頻工作的領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 數(shù)據(jù)中心電源：提供高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換解決方案。
　　2. 工業(yè)電源：用于工業(yè)設(shè)備中的大功率電源模塊。
　　3. 通信基站：支持射頻放大器和電源管理系統(tǒng)。
　　4. 光伏逆變器：實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換與管理。
　　5. 電動(dòng)汽車充電器：用于車載充電器和快速充電樁等應(yīng)用。
　　6. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：為工業(yè)和消費(fèi)級(jí)電機(jī)提供高效率驅(qū)動(dòng)方案。

替代型號(hào)

NIF015120A, NIF015150A

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nif62514t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān)
  • 系列HDPlus™
  • 類型低端
  • 輸入類型非反相
  • 輸出數(shù)1
  • 導(dǎo)通狀態(tài)電阻90 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道-
  • 電流 - 峰值輸出6A
  • 電源電壓-
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4，TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NIF62514T1GOSNIF62514T1GOS-NDNIF62514T1GOSTR