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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NIF62514T1G

NIF62514T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 10:23:51 查看 閱讀�10

NIF62514T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),由 Wolfspeed(原 Cree)生�(chǎn)。該器件采用常關(guān)型設(shè)�(jì),適用于高頻和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。其卓越的開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為電源轉(zhuǎn)�、射頻放大器和其他高性能�(yīng)用的理想選擇�
  該型�(hào)采用� GaN-on-SiC 技�(shù),具備出色的散熱性能和可靠�,同�(shí)支持高達(dá) 650V 的工作電�。NIF62514T1G 的封裝形式為 TO-247-4L,便于集成到各種功率系統(tǒng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:14mΩ
  柵極電荷�90nC
  �(kāi)�(guān)頻率:最高支� MHz �(jí)�
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

NIF62514T1G 擁有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:650V 的額定電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 14mΩ,能夠顯著降低導(dǎo)通損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:得益于 GaN 材料的優(yōu)異性能,支� MHz �(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率�
  4. 高熱�(wěn)定性:采用 SiC 基板,具有優(yōu)秀的散熱能�,可在高溫環(huán)境下可靠�(yùn)��
  5. 常關(guān)型設(shè)�(jì):增�(qiáng)了安全性和易用�,避免了靜態(tài)功耗問(wèn)題�
  6. 小型化封裝:TO-247-4L 封裝兼顧緊湊性和易用�,適合多種應(yīng)用場(chǎng)景�

�(yīng)�

NIF62514T1G 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高頻工作的領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(shù)�(jù)中心電源:提供高效的 DC-DC �(zhuǎn)換解決方��
  2. 工業(yè)電源:用于工�(yè)�(shè)備中的大功率電源模塊�
  3. 通信基站:支持射頻放大器和電源管理系�(tǒng)�
  4. 光伏逆變器:�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換與管理�
  5. 電動(dòng)汽車充電器:用于車載充電器和快速充電樁等應(yīng)用�
  6. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為工業(yè)和消�(fèi)�(jí)電機(jī)提供高效率驅(qū)�(dòng)方案�

替代型號(hào)

NIF015120A, NIF015150A

nif62514t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nif62514t1g資料 更多>

  • 型號(hào)
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nif62514t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - �(nèi)部開(kāi)�(guān)
  • 系列HDPlus™
  • 類型低端
  • 輸入類型非反�
  • 輸出�(shù)1
  • �(dǎo)通狀�(tài)電阻90 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道-
  • 電流 - 峰值輸�6A
  • 電源電壓-
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NIF62514T1GOSNIF62514T1GOS-NDNIF62514T1GOSTR