NIS5132MN3TXG 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET,采� TrenchFET 第三代技�(shù)制造。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高效�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用以及需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)景。其封裝形式� PowerPAK? 8x8 封裝,具備出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合在空間受限的應(yīng)用中使用�
該型�(hào)主要針對(duì)消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備及通信電源等領(lǐng)域設(shè)�(jì),能夠提供穩(wěn)定的電流處理能力和快速的開關(guān)速度�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�197A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.3mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�3620pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
NIS5132MN3TXG 使用了先�(jìn)� TrenchFET 技�(shù),使其具備非常低的導(dǎo)通電阻,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫操�,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)��
這款 MOSFET 還具有快速開�(guān)能力,可降低開關(guān)損�,并且封裝結(jié)�(gòu)�(yōu)化了熱傳�(dǎo)路徑,�(jìn)一步增�(qiáng)了散熱表�(xiàn)�
PowerPAK? 8x8 封裝不僅提供了較低的寄生電感,還�(shí)�(xiàn)了更小的 PCB 占用面積,非常適合現(xiàn)代高密度�(shè)�(jì)需求�
NIS5132MN3TXG 廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載點(diǎn)�(diào)節(jié)� (POL) � UPS 系統(tǒng)等場(chǎng)��
在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,它可用于筆記本電腦適配�、電視電源以及游戲機(jī)電源解決方案�
此外,在工業(yè)�(lǐng)�,該器件可以用于太陽能逆變�、電�(dòng)工具以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)��
NIS5132LN3TSG, SiR146DP