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NIS5132MN3TXG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 15:01:13 查看 閱讀�2

NIS5132MN3TXG 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET,采� TrenchFET 第三代技�(shù)制造。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高效�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用以及需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)景。其封裝形式� PowerPAK? 8x8 封裝,具備出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合在空間受限的應(yīng)用中使用�
  該型�(hào)主要針對(duì)消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備及通信電源等領(lǐng)域設(shè)�(jì),能夠提供穩(wěn)定的電流處理能力和快速的開關(guān)速度�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�197A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.3mΩ
  柵極電荷�75nC
  輸入電容�3620pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

NIS5132MN3TXG 使用了先�(jìn)� TrenchFET 技�(shù),使其具備非常低的導(dǎo)通電阻,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫操�,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)��
  這款 MOSFET 還具有快速開�(guān)能力,可降低開關(guān)損�,并且封裝結(jié)�(gòu)�(yōu)化了熱傳�(dǎo)路徑,�(jìn)一步增�(qiáng)了散熱表�(xiàn)�
  PowerPAK? 8x8 封裝不僅提供了較低的寄生電感,還�(shí)�(xiàn)了更小的 PCB 占用面積,非常適合現(xiàn)代高密度�(shè)�(jì)需求�

�(yīng)�

NIS5132MN3TXG 廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載點(diǎn)�(diào)節(jié)� (POL) � UPS 系統(tǒng)等場(chǎng)��
  在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,它可用于筆記本電腦適配�、電視電源以及游戲機(jī)電源解決方案�
  此外,在工業(yè)�(lǐng)�,該器件可以用于太陽能逆變�、電�(dòng)工具以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)��

替代型號(hào)

NIS5132LN3TSG, SiR146DP

nis5132mn3txg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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nis5132mn3txg參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - �(wěn)�/電流管理
  • 系列-
  • 功能電子保險(xiǎn)�
  • 檢測(cè)方法-
  • 精確�-
  • 輸入電壓9 V ~ 18 V
  • 電流 - 輸出3.6A
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼10-VFDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�10-DFN�3x3�
  • 包裝帶卷 (TR)