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NJG1649HB6-TE1 發(fā)布時間 時間:2025/5/7 17:41:03 查看 閱讀:28

NJG1649HB6-TE1是一款由日本New Japan Radio(NJR)公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,適用于高效率開關電源、電機驅動以及各種工業(yè)和消費類電子設備中的功率轉換應用。
  這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性,可以有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能。同時,其出色的熱特性和堅固的設計使其能夠在嚴苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運行。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:32A
  導通電阻(典型值):8mΩ
  柵極電荷:45nC
  開關速度:超快
  工作結溫范圍:-55℃至+175℃

特性

NJG1649HB6-TE1的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(8mΩ),可顯著減少傳導損耗。
  2. 快速的開關速度,支持高頻操作,有助于提高整體效率。
  3. 高電流承載能力(32A),適用于大功率應用場景。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠性能。
  5. TO-220標準封裝,便于安裝與散熱設計。
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品要求。

應用

NJG1649HB6-TE1廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關。
  2. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電機或步進電機。
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換。
  4. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模塊。
  5. 各種消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉換方案。
  6. 充電器和適配器設計中的關鍵元件。

替代型號

IRFZ44N, FDP5540, STP32NF06

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