NJVMJD45H11T4G是一款高性能的MOSFET功率晶體�,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠在高頻條件下實�(xiàn)高效能表�(xiàn)�
該型號為N溝道增強型MOSFET,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、汽車電子以及消費類電子�(chǎn)品等�(lǐng)��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�23A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
總功�(Ptot)�270W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
NJVMJD45H11T4G具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠顯著減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
該器件具備快速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場��
其高雪崩擊穿能力和強魯棒性使其在惡劣�(huán)境下依然保持�(wěn)定運��
此外,該MOSFET還支持超低電荷設(shè)�,進一步優(yōu)化了動態(tài)性能,從而降低了開關(guān)損��
由于采用了TO-247封裝,它具有良好的散熱性能,適合大功率�(yīng)用�
開關(guān)電源(SMPS)
電機�(qū)動與控制
負載切換
逆變器和�(zhuǎn)換器
不間斷電�(UPS)
電池管理系統(tǒng)(BMS)
汽車電子�(shè)備中的各種功率控制模�