NL17SZ125DFT2G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),由 Nexperia 公司生產(chǎn)。該器件�(zhuān)為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能�
這款 GaN FET 集成了柵極驅(qū)�(dòng)器保�(hù)功能,適合用于硬�(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC(功率因�(shù)校正�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電源管理�(yīng)��
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (E-Mode HEMT)
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:125mΩ(典型值)
柵極電荷�48nC(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝�(lèi)型:LFPAK88
NL17SZ125DFT2G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠支持高頻操�,從而減小磁性元件尺寸并�(yōu)化整體解決方案的體積�
3. 高耐壓能力,適用于高達(dá) 600V 的電路環(huán)境,增強(qiáng)了可靠性和安全��
4. 熱性能�(yōu)�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
5. �(nèi)置柵極保�(hù)�(jī)制,防止�(guò)壓或反向�(qū)�(dòng)�(wèn)��
6. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽�(chē)�(jí)�(yīng)用�
7. 小型化封� LFPAK88,便于表面貼裝并減少寄生效應(yīng)�
NL17SZ125DFT2G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源供應(yīng)器中的圖騰柱 PFC � LLC 諧振�(zhuǎn)換器�
2. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的快充適配器和無(wú)線充電器�
3. �(shù)�(jù)中心電源模塊及服�(wù)器電源�
4. 電動(dòng)汽車(chē)�(chē)載充電器 (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
6. 各種高性能電機(jī)�(qū)�(dòng)器控制電��
NL17SZ120DFT2G, NL17SZ150DFT2G