電容值：3.3nF
　　額定電壓：50V
　　公差：±10%
　　溫度特性：X7R
　　封裝類型：0805
　　工作溫度范圍：-55℃至+125℃
　　DC偏置特性：適中
　　絕緣電阻：大于1000MΩ
　　頻率范圍：最高可達(dá)1GHz

NM0805B334K101CEDN 采用X7R介質(zhì)材料，因此在溫度變化時(shí)表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性。它的容量在-55°C到+125°C的寬溫范圍內(nèi)能夠保持相對(duì)穩(wěn)定。
　　此外，這款電容器具有較低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL），使其非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。其表面貼裝設(shè)計(jì)允許自動(dòng)化裝配，從而提高了生產(chǎn)效率并降低了成本。
　　該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛，適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)綠色制造的要求。

NM0805B334K101CEDN 廣泛應(yīng)用于需要高頻性能和高穩(wěn)定性的電路中，例如：
　　1. 濾波電路：用于去除電源或信號(hào)中的高頻噪聲。
　　2. 耦合與解耦：確保電路模塊之間的穩(wěn)定連接，并減少相互干擾。
　　3. 射頻（RF）電路：作為匹配網(wǎng)絡(luò)的一部分，幫助優(yōu)化信號(hào)傳輸。
　　4. 工業(yè)控制設(shè)備：提供可靠的去耦功能以保護(hù)敏感元件。
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：如智能手機(jī)、平板電腦及其他便攜式設(shè)備中的高頻電路部分。

CM0805X334K10ACD, Kemet C0805C334K5RACTU, AVX 08052C334KAT2A