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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NOIP1SN5000A-QDI

NOIP1SN5000A-QDI 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:31:15 查看 閱讀�24

NOIP1SN5000A-QDI 是一款高性能� MOSFET 功率�(kāi)�(guān)器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。它主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低導(dǎo)通電阻的�(chǎng)��
  該器件具有出色的�(kāi)�(guān)特性和耐用性,能夠在高電流、高電壓�(huán)境下�(wěn)定工作,同時(shí)具備較低的導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�。其封裝形式� QDI(Quad Inline�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)應(yīng)�,廣泛用于工�(yè)控制、通信�(shè)備及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ
  柵極電荷�28nC
  �(kāi)�(guān)頻率�500kHz
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

NOIP1SN5000A-QDI 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá) 500V 的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定��
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 45mΩ,有效降低功耗并提升效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高�(dá) 500kHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)��
  4. 超低柵極電荷,減少驅(qū)�(dòng)損耗并�(yōu)化動(dòng)�(tài)性能�
  5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)極端�(huán)境條�,從 -55� � +150� 均能正常�(yùn)��
  6. 封裝�(shè)�(jì)緊湊且散熱性能良好,便于集成到各種電子系統(tǒng)��

�(yīng)�

NOIP1SN5000A-QDI 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是中小功率電機(jī)控制�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保護(hù)和管理鋰離子電池��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  5. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換電��
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器和適配器�

替代型號(hào)

NOIP1SN5000A-QD, IRF540N, FQP50N06L

noip1sn5000a-qdi推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

noip1sn5000a-qdi參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列PYTHON
  • 包裝托盤(pán)
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 類型帶處理器� CMOS
  • 像素大小4.8μm x 4.8μm
  • 有源像素陣列2592H x 2048V
  • 每秒幀�(shù)100
  • 電壓 - 供電1.8V ~ 3.3V
  • 封裝/外殼84-LCC
  • 供應(yīng)商器件封�84-LCC�19x19�
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TJ�