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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NRVB0540T1G

NRVB0540T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 15:34:21 查看 閱讀�24

NRVB0540T1G 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-263 封裝。這款器件適用于高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能能夠有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  該芯片具有出色的熱性能和電氣特�,能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),其封裝形式便于散熱�(shè)�(jì),適合高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流�42A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
  柵極電荷�18nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

NRVB0540T1G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少傳導(dǎo)損耗�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)�,有助于減小�(wú)源元件體積�
  3. 高雪崩能�,確保在�(guò)載或短路條件下仍能可靠工��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  5. �(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),提供良好的散熱路徑,支持長(zhǎng)�(shí)間高功率�(yùn)��
  6. �(wěn)定的電氣性能和可靠性,適用于工�(yè)及汽�(chē)�(lǐng)��

�(yīng)�

NRVB0540T1G 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 電動(dòng)�(chē)輛的電機(jī)�(qū)�(dòng)控制器�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. LED �(qū)�(dòng)器和高亮度照明解決方��
  5. 通信電源模塊以及不間斷電源(UPS��
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相�(guān)�(chǎn)��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L

nrvb0540t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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  • 型號(hào)
  • 描述
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nrvb0540t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類(lèi)�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)40V
  • 電流 - 平均整流 (Io)500mA
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)510mV @ 500mA
  • 速度快速恢�(fù) = 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)-
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電20µA @ 40V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼SOD-123
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOD-123
  • 包裝帶卷 (TR)