時間：2025/5/13 8:42:58
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NRVB130T1G是一款高壓MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），屬于N溝道增強型功率MOSFET。該器件主要應用于高電壓和大電流的開關場景，具有較低的導通電阻和較高的擊穿電壓，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款MOSFET適用于多種工業(yè)和消費類電子設備，例如電源管理、電機驅動、負載切換以及逆變器等應用領域。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：1.9A
導通電阻：2.7Ω
柵極電荷：18nC
總電容：145pF
工作結溫范圍：-55℃ to 150℃
NRVB130T1G具備以下關鍵特性：
1. 高擊穿電壓，支持高達650V的工作電壓，適合高壓環(huán)境下的應用。
2. 較低的導通電阻（2.7Ω），有助于減少導通損耗并提升整體能效。
3. 快速開關速度，由于，可實現(xiàn)高效開關操作。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下依然保持可靠的性能。
5. 小封裝尺寸，便于集成到緊湊型電路設計中。
該芯片廣泛應用于以下場景：
1. 開關電源（SMPS）中的同步整流和初級側開關。
2. 工業(yè)設備中的電機控制與驅動。
3. 消費類電子產品中的負載切換和保護電路。
4. 太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉換的應用。
5. LED照明系統(tǒng)的調光和調壓控制。
IRF840,
STP12NM65,
FDP18N65,
IXTN12N650
