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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NRVB130T1G

NRVB130T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:42:58 查看 閱讀�20

NRVB130T1G是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。該器件主要應用于高電壓和大電流的開關場�,具有較低的導通電阻和較高的擊穿電壓,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款MOSFET適用于多種工�(yè)和消費類電子設備,例如電源管理、電機驅�、負載切換以及逆變器等應用領域�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�1.9A
  導通電阻:2.7Ω
  柵極電荷�18nC
  總電容:145pF
  工作結溫范圍�-55� to 150�

特�

NRVB130T1G具備以下關鍵特性:
  1. 高擊穿電�,支持高�650V的工作電壓,適合高壓�(huán)境下的應��
  2. 較低的導通電阻(2.7Ω�,有助于減少導通損耗并提升整體能效�
  3. 快速開關速度,由�,可實現(xiàn)高效開關操作�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然保持可靠的性能�
  5. 小封裝尺�,便于集成到緊湊型電路設計中�

應用

該芯片廣泛應用于以下場景�
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和初級側開��
  2. 工業(yè)設備中的電機控制與驅��
  3. 消費類電子產品中的負載切換和保護電路�
  4. 太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉換的應用�
  5. LED照明系統(tǒng)的調光和調壓控制�

替代型號

IRF840,
  STP12NM65,
  FDP18N65,
  IXTN12N650

nrvb130t1g推薦供應� 更多>

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nrvb130t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)30V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)450mV @ 700mA
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)-
  • 電流 - � Vr 時反向漏�60µA @ 30V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOD-123
  • 供應商設備封�SOD-123
  • 包裝帶卷 (TR)