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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NRVB1H100SFT3G

NRVB1H100SFT3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 17:37:10 查看 閱讀�24

NRVB1H100SFT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的高�、高� N 灃道晶管 (N-Channel MOSFET),采� TO-263-3 封裝形式。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、逆變器以� DC/DC �(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換領(lǐng)域。其卓越的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其在中高功率�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  NRVB1H100SFT3G 的最大額定電壓為 100V,具有低�(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�8.7A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):9.5mΩ(典型�,當(dāng) Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�18nC(典型值)
  總電容(Ciss):2480pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-3(D2PAK�

特�

NRVB1H100SFT3G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功率損耗�
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)可靠��
  4. �(yōu)化的 Qg � Rds(on) 平衡�(shè)�(jì),以�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 支持高溫�(yùn)�,適用于惡劣的工作環(huán)境�
  7. 出色的熱性能,有助于簡化散熱�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

NRVB1H100SFT3G 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. DC/DC �(zhuǎn)換器
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 電動(dòng)工具及家用電器中的功率管�
  6. 太陽能逆變器和工業(yè)電源
  7. LED �(qū)�(dòng)�
  8. 各類高頻功率變換�(shè)�

nrvb1h100sft3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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nrvb1h100sft3g資料 更多>

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nrvb1h100sft3g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �3.50000剪切帶(CT�10,000 : �1.07620卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)760 mV @ 1 A
  • 速度快速恢�(fù) =< 500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏40 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼SOD-123F
  • 供應(yīng)商器件封�SOD-123FL
  • 工作溫度 - �(jié)-65°C ~ 175°C