NRVTS12100EMFST1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)。該器件�(shè)計用于高�、高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用,例如開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和射頻放大器等場景。其出色的電氣性能使其在減少能量損耗和提升系統(tǒng)效率方面具有顯著�(yōu)��
該型號采用先進的 GaN-on-Si 工藝制�,能夠提供更高的開關(guān)速度和更低的�(dǎo)通電�。同�,它還具備強大的熱管理能�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運行。NRVTS12100EMFST1G 的封裝形式為符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和集成到�(xiàn)代電路設(shè)計中�
最大漏源電壓:1200 V
連續(xù)漏極電流�10 A
�(dǎo)通電阻(典型值)�150 mΩ
柵極電荷(Qg):90 nC
反向恢復(fù)電荷(Qrr):無(無體二極管)
開關(guān)頻率范圍:高� 5 MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
NRVTS12100EMFST1G 提供了多種卓越的特�,使其成為高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
1. 高擊穿電壓:額定 1200 V 的漏源電壓確保其適用于高壓環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 150 mΩ 的導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損耗�
3. 快速開�(guān)性能:支持高� 5 MHz 的開�(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需��
4. 無體二極管設(shè)計:避免了反向恢�(fù)損耗,進一步提升了效率�
5. 熱穩(wěn)定性:即使在極端溫度條件下,也能保持可靠運��
6. 小型化封裝:采用 TO-247-4L 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡化裝配流��
7. �(huán)保材料:符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),適合綠色產(chǎn)品設(shè)��
NRVTS12100EMFST1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):用于提� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器的效��
2. 電機�(qū)動:支持高效逆變器和控制器設(shè)��
3. 太陽能逆變器:�(yōu)化光伏系�(tǒng)的能源利用率�
4. 電動汽車充電�(shè)備:實現(xiàn)快速充電和高可靠��
5. 射頻功率放大器:提供高頻信號處理能力�
6. �(shù)�(jù)中心電源管理:降低功耗并增強散熱性能�
7. 工業(yè)自動化系�(tǒng):保障關(guān)鍵任�(wù)�(yīng)用中的穩(wěn)定性與效率�
NRVTS12100EMFSGT1G, NRVTS12100GMFST1G