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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NRVTS5100ETFSTAG

NRVTS5100ETFSTAG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 17:49:47 查看 閱讀�32

NRVTS5100ETFSTAG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET),由 Navitas Semiconductor 公司�(shè)�(jì)制造。這款芯片采用了先�(jìn)� GaN 功率技�(shù),旨在提供更高的效率、更快的開關(guān)速度和更小的尺寸,適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
  該器件具有垂直結(jié)�(gòu)和低寄生電感的特�(diǎn),使其在硬開�(guān)和軟開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能�

參數(shù)

型號(hào):NRVTS5100ETFSTAG
  類型:增�(qiáng)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�7.5 mΩ (典型值,25°C)
  擊穿電壓 (BVDSS)�600 V
  柵極閾值電� (Vgs(th))�1.8 V � 3.6 V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�54 A (典型�)
  封裝形式:TOLL (TO-247-3L)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  輸入電容 (Ciss)�1290 pF (典型�)
  輸出電容 (Coss)�27 pF (典型�)
  反向傳輸電容 (Crss)�11 pF (典型�)
  開關(guān)頻率能力:超�(guò) 2 MHz

特�

NRVTS5100ETFSTAG 的主要特�(diǎn)是其卓越的性能和高效率,以下是具體特性:
  1. 高擊穿電壓:高達(dá) 600V 的耐壓能力,確保在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
  2. 極低�(dǎo)通電阻:� 7.5mΩ � Rds(on),大幅降低導(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)速度:由于較低的寄生電容,支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率�
  4. 小尺寸封裝:TOLL 封裝不僅散熱性能�(yōu)�,還減少� PCB 占用空間�
  5. 高溫適應(yīng)性:能夠� -55°C � +150°C 的寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工��
  6. 超低 Qg � Eoss:減少開�(guān)損�,�(jìn)一步提升整體效��
  7. �(nèi)置保�(hù)功能:具備過(guò)流保�(hù)和靜電放� (ESD) 防護(hù)特��

�(yīng)�

NRVTS5100ETFSTAG 廣泛�(yīng)用于�(duì)效率和小型化要求較高的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 電源適配器和充電器:用于快充解決方案,支� USB-PD �(biāo)�(zhǔn)�
  2. 開關(guān)電源 (SMPS):例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. �(wú)線充電設(shè)備:為更高效率的�(wú)線能量傳輸提供支��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于高效逆變器和�(qū)�(dòng)電路�
  5. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電�、通信電源和太�(yáng)能微逆變器�
  6. 汽車電子:車載充電器� DC-DC �(zhuǎn)換器中的�(guān)鍵元件�

替代型號(hào)

NV6115, NRV06GNTKGA

nrvts5100etfstag推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nrvts5100etfstag參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1,500 : �1.86807卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)1 V @ 5 A
  • 速度快速恢�(fù) =< 500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏50 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容26.5pF @ 100V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-WDFN�3.3x3.3�
  • 工作溫度 - �(jié)-65°C ~ 175°C