NRVTS5100ETFSTAG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET),由 Navitas Semiconductor 公司設(shè)計(jì)制造。這款芯片采用了先進(jìn)的 GaN 功率技術(shù),旨在提供更高的效率、更快的開關(guān)速度和更小的尺寸,適用于高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
該器件具有垂直結(jié)構(gòu)和低寄生電感的特點(diǎn),使其在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能。
型號(hào):NRVTS5100ETFSTAG
類型:增強(qiáng)型 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):7.5 mΩ (典型值,25°C)
擊穿電壓 (BVDSS):600 V
柵極閾值電壓 (Vgs(th)):1.8 V 至 3.6 V
連續(xù)漏極電流 (Id):54 A (典型值)
封裝形式:TOLL (TO-247-3L)
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
輸入電容 (Ciss):1290 pF (典型值)
輸出電容 (Coss):27 pF (典型值)
反向傳輸電容 (Crss):11 pF (典型值)
開關(guān)頻率能力:超過(guò) 2 MHz
NRVTS5100ETFSTAG 的主要特點(diǎn)是其卓越的性能和高效率,以下是具體特性:
1. 高擊穿電壓:高達(dá) 600V 的耐壓能力,確保在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
2. 極低導(dǎo)通電阻:僅 7.5mΩ 的 Rds(on),大幅降低導(dǎo)通損耗。
3. 快速開關(guān)速度:由于較低的寄生電容,支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率。
4. 小尺寸封裝:TOLL 封裝不僅散熱性能優(yōu)異,還減少了 PCB 占用空間。
5. 高溫適應(yīng)性:能夠在 -55°C 至 +150°C 的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
6. 超低 Qg 和 Eoss:減少開關(guān)損耗,進(jìn)一步提升整體效率。
7. 內(nèi)置保護(hù)功能:具備過(guò)流保護(hù)和靜電放電 (ESD) 防護(hù)特性。
NRVTS5100ETFSTAG 廣泛應(yīng)用于對(duì)效率和小型化要求較高的場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 電源適配器和充電器:用于快充解決方案,支持 USB-PD 標(biāo)準(zhǔn)。
2. 開關(guān)電源 (SMPS):例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 無(wú)線充電設(shè)備:為更高效率的無(wú)線能量傳輸提供支持。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于高效逆變器和驅(qū)動(dòng)電路。
5. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電源、通信電源和太陽(yáng)能微逆變器。
6. 汽車電子:車載充電器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵元件。
NV6115, NRV06GNTKGA