NRVTS5100ETFSTAG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET),由 Navitas Semiconductor 公司�(shè)�(jì)制造。這款芯片采用了先�(jìn)� GaN 功率技�(shù),旨在提供更高的效率、更快的開關(guān)速度和更小的尺寸,適用于高頻電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
該器件具有垂直結(jié)�(gòu)和低寄生電感的特�(diǎn),使其在硬開�(guān)和軟開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能�
型號(hào):NRVTS5100ETFSTAG
類型:增�(qiáng)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
�(dǎo)通電� (Rds(on))�7.5 mΩ (典型值,25°C)
擊穿電壓 (BVDSS)�600 V
柵極閾值電� (Vgs(th))�1.8 V � 3.6 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�54 A (典型�)
封裝形式:TOLL (TO-247-3L)
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
輸入電容 (Ciss)�1290 pF (典型�)
輸出電容 (Coss)�27 pF (典型�)
反向傳輸電容 (Crss)�11 pF (典型�)
開關(guān)頻率能力:超�(guò) 2 MHz
NRVTS5100ETFSTAG 的主要特�(diǎn)是其卓越的性能和高效率,以下是具體特性:
1. 高擊穿電壓:高達(dá) 600V 的耐壓能力,確保在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
2. 極低�(dǎo)通電阻:� 7.5mΩ � Rds(on),大幅降低導(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)速度:由于較低的寄生電容,支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率�
4. 小尺寸封裝:TOLL 封裝不僅散熱性能�(yōu)�,還減少� PCB 占用空間�
5. 高溫適應(yīng)性:能夠� -55°C � +150°C 的寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工��
6. 超低 Qg � Eoss:減少開�(guān)損�,�(jìn)一步提升整體效��
7. �(nèi)置保�(hù)功能:具備過(guò)流保�(hù)和靜電放� (ESD) 防護(hù)特��
NRVTS5100ETFSTAG 廣泛�(yīng)用于�(duì)效率和小型化要求較高的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 電源適配器和充電器:用于快充解決方案,支� USB-PD �(biāo)�(zhǔn)�
2. 開關(guān)電源 (SMPS):例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. �(wú)線充電設(shè)備:為更高效率的�(wú)線能量傳輸提供支��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于高效逆變器和�(qū)�(dòng)電路�
5. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電�、通信電源和太�(yáng)能微逆變器�
6. 汽車電子:車載充電器� DC-DC �(zhuǎn)換器中的�(guān)鍵元件�
NV6115, NRV06GNTKGA