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NRVTS5100ETFSTAG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 17:49:47 查看 閱讀:32

NRVTS5100ETFSTAG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET),由 Navitas Semiconductor 公司設(shè)計(jì)制造。這款芯片采用了先進(jìn)的 GaN 功率技術(shù),旨在提供更高的效率、更快的開關(guān)速度和更小的尺寸,適用于高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
  該器件具有垂直結(jié)構(gòu)和低寄生電感的特點(diǎn),使其在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能。

參數(shù)

型號(hào):NRVTS5100ETFSTAG
  類型:增強(qiáng)型 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
  導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):7.5 mΩ (典型值,25°C)
  擊穿電壓 (BVDSS):600 V
  柵極閾值電壓 (Vgs(th)):1.8 V 至 3.6 V
  連續(xù)漏極電流 (Id):54 A (典型值)
  封裝形式:TOLL (TO-247-3L)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
  輸入電容 (Ciss):1290 pF (典型值)
  輸出電容 (Coss):27 pF (典型值)
  反向傳輸電容 (Crss):11 pF (典型值)
  開關(guān)頻率能力:超過(guò) 2 MHz

特性

NRVTS5100ETFSTAG 的主要特點(diǎn)是其卓越的性能和高效率,以下是具體特性:
  1. 高擊穿電壓:高達(dá) 600V 的耐壓能力,確保在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
  2. 極低導(dǎo)通電阻:僅 7.5mΩ 的 Rds(on),大幅降低導(dǎo)通損耗。
  3. 快速開關(guān)速度:由于較低的寄生電容,支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率。
  4. 小尺寸封裝:TOLL 封裝不僅散熱性能優(yōu)異,還減少了 PCB 占用空間。
  5. 高溫適應(yīng)性:能夠在 -55°C 至 +150°C 的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
  6. 超低 Qg 和 Eoss:減少開關(guān)損耗,進(jìn)一步提升整體效率。
  7. 內(nèi)置保護(hù)功能:具備過(guò)流保護(hù)和靜電放電 (ESD) 防護(hù)特性。

應(yīng)用

NRVTS5100ETFSTAG 廣泛應(yīng)用于對(duì)效率和小型化要求較高的場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 電源適配器和充電器:用于快充解決方案,支持 USB-PD 標(biāo)準(zhǔn)。
  2. 開關(guān)電源 (SMPS):例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  3. 無(wú)線充電設(shè)備:為更高效率的無(wú)線能量傳輸提供支持。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于高效逆變器和驅(qū)動(dòng)電路。
  5. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電源、通信電源和太陽(yáng)能微逆變器。
  6. 汽車電子:車載充電器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵元件。

替代型號(hào)

NV6115, NRV06GNTKGA

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nrvts5100etfstag參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1,500 : ¥1.86807卷帶(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)肖特基
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)1 V @ 5 A
  • 速度快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)-
  • 不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏50 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 時(shí)電容26.5pF @ 100V,1MHz
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝8-WDFN(3.3x3.3)
  • 工作溫度 - 結(jié)-65°C ~ 175°C