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時(shí)間：2025/5/9 8:51:10
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NRVTS560EMFST1G是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率晶體管，專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（e-mode FET）結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于電源管理、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
此型號(hào)是表面貼裝器件（SMD），采用DFN封裝形式，能夠有效提升散熱性能并減少寄生電感的影響。其高可靠性與穩(wěn)定性使其成為新一代電力電子系統(tǒng)中的理想選擇。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：4A
導(dǎo)通電阻：80mΩ
柵極閾值電壓：2V~4V
工作結(jié)溫范圍：-55℃~+175℃
封裝類型：DFN8
NRVTS560EMFST1G的主要特性包括：
1. 高擊穿電壓：600V耐壓能力確保其在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 極低導(dǎo)通電阻：僅為80mΩ，可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能：具備高頻率操作能力，適合于高頻AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
4. 增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)：無需負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓即可正常工作，簡化了電路設(shè)計(jì)。
5. 緊湊型封裝：DFN8封裝有助于減小PCB占用空間，同時(shí)改善熱管理和電氣性能。
6. 高溫適應(yīng)性：支持最高175℃的工作溫度，增強(qiáng)了器件在惡劣環(huán)境下的可靠性。
NRVTS560EMFST1G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：用于AC-DC適配器和電源模塊。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：實(shí)現(xiàn)高效的無刷直流電機(jī)控制。
3. 工業(yè)逆變器：提供可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施：如基站電源和服務(wù)器電源管理。
5. 光伏逆變器：優(yōu)化太陽能發(fā)電系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。
6. 充電器和快充設(shè)備：滿足現(xiàn)代消費(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)快速充電的需求。
NRVTS560GMFST1G
IRGB4062DPBF
SiH40N60E
FDMQ8207
