NRVTS560EMFST1G是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode FET)結(jié)構(gòu),具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于電源管理、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
此型號(hào)是表面貼裝器件(SMD),采用DFN封裝形式,能夠有效提升散熱性能并減少寄生電感的影響。其高可靠性與穩(wěn)定性使其成為新一代電力電子系統(tǒng)中的理想選擇。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:4A
導(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極閾值電壓:2V~4V
工作結(jié)溫范圍:-55℃~+175℃
封裝類型:DFN8
NRVTS560EMFST1G的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:600V耐壓能力確保其在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 極低導(dǎo)通電阻:僅為80mΩ,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能:具備高頻率操作能力,適合于高頻AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
4. 增強(qiáng)模式設(shè)計(jì):無需負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓即可正常工作,簡化了電路設(shè)計(jì)。
5. 緊湊型封裝:DFN8封裝有助于減小PCB占用空間,同時(shí)改善熱管理和電氣性能。
6. 高溫適應(yīng)性:支持最高175℃的工作溫度,增強(qiáng)了器件在惡劣環(huán)境下的可靠性。
NRVTS560EMFST1G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC適配器和電源模塊。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):實(shí)現(xiàn)高效的無刷直流電機(jī)控制。
3. 工業(yè)逆變器:提供可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施:如基站電源和服務(wù)器電源管理。
5. 光伏逆變器:優(yōu)化太陽能發(fā)電系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。
6. 充電器和快充設(shè)備:滿足現(xiàn)代消費(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)快速充電的需求。
NRVTS560GMFST1G
IRGB4062DPBF
SiH40N60E
FDMQ8207