NRVTSA4100ET3G 是一款基于硅材料的高壓 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高頻開關應用而設計。該器件采用先進的制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于各種功率轉換和電機驅動等場景。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):4.1A
導通電阻(Rds(on)):1.5Ω
總功耗(Ptot):79W
工作結溫范圍(Tj):-55°C 至 150°C
封裝形式:TO-220AC
NRVTSA4100ET3G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高達 600V 的漏源電壓,適合高電壓環(huán)境下的應用。
2. 較低的導通電阻 (Rds(on)) 為 1.5Ω,在高電流條件下能有效降低功耗。
3. 快速開關性能,具備較小的輸入電容和輸出電容,可減少開關損耗。
4. 提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛。
6. TO-220AC 封裝提供良好的散熱性能,便于集成到功率系統(tǒng)中。
該 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件。
2. 直流-直流轉換器及逆變器電路。
3. 各類電機驅動控制電路。
4. 電池保護及負載切換電路。
5. 工業(yè)設備中的高壓開關控制。
6. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模塊。
IRF840, STP4NS60E