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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NRVTSA4100ET3G

NRVTSA4100ET3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 14:44:37 查看 閱讀�16

NRVTSA4100ET3G 是一款基于硅材料的高� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高頻開關應用而設計。該器件采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于各種功率轉換和電機驅動等場景�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�600V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�4.1A
  導通電�(Rds(on))�1.5Ω
  總功�(Ptot)�79W
  工作結溫范圍(Tj)�-55°C � 150°C
  封裝形式:TO-220AC

特�

NRVTSA4100ET3G 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高� 600V 的漏源電�,適合高電壓�(huán)境下的應用�
  2. 較低的導通電� (Rds(on)) � 1.5Ω,在高電流條件下能有效降低功��
  3. 快速開關性能,具備較小的輸入電容和輸出電�,可減少開關損耗�
  4. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)定�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
  6. TO-220AC 封裝提供良好的散熱性能,便于集成到功率系統(tǒng)中�

應用

� MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
  2. 直流-直流轉換器及逆變器電路�
  3. 各類電機驅動控制電路�
  4. 電池保護及負載切換電路�
  5. 工業(yè)設備中的高壓開關控制�
  6. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模��

替代型號

IRF840, STP4NS60E

nrvtsa4100et3g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nrvtsa4100et3g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �4.61000剪切帶(CT�5,000 : �1.53226卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)4A
  • 不同 If 時電� - 正向 (Vf)680 mV @ 4 A
  • 速度快速恢� =< 500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復時間 (trr)-
  • 不同 Vr 時電� - 反向泄漏9 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 時電�55pF @ 4V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼DO-214AC,SMA
  • 供應商器件封�SMA
  • 工作溫度 - �-55°C ~ 175°C