時間：2025/5/16 14:44:37
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NRVTSA4100ET3G 是一款基于硅材料的高壓 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），專為高頻開關應用而設計。該器件采用先進的制造工藝，具有較低的導通電阻和較高的開關速度，適用于各種功率轉換和電機驅動等場景。
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：600V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：4.1A
導通電阻(Rds(on))：1.5Ω
總功耗(Ptot)：79W
工作結溫范圍(Tj)：-55°C 至 150°C
封裝形式：TO-220AC
NRVTSA4100ET3G 具有以下主要特性：
1. 高耐壓能力，能夠承受高達 600V 的漏源電壓，適合高電壓環(huán)境下的應用。
2. 較低的導通電阻 (Rds(on)) 為 1.5Ω，在高電流條件下能有效降低功耗。
3. 快速開關性能，具備較小的輸入電容和輸出電容，可減少開關損耗。
4. 提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且無鉛。
6. TO-220AC 封裝提供良好的散熱性能，便于集成到功率系統(tǒng)中。
該 MOSFET 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的功率開關元件。
2. 直流-直流轉換器及逆變器電路。
3. 各類電機驅動控制電路。
4. 電池保護及負載切換電路。
5. 工業(yè)設備中的高壓開關控制。
6. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模塊。
IRF840, STP4NS60E
