NRVTSA4100ET3G 是一款基于硅材料的高� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高頻開關應用而設計。該器件采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于各種功率轉換和電機驅動等場景�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�600V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.1A
導通電�(Rds(on))�1.5Ω
總功�(Ptot)�79W
工作結溫范圍(Tj)�-55°C � 150°C
封裝形式:TO-220AC
NRVTSA4100ET3G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高� 600V 的漏源電�,適合高電壓�(huán)境下的應用�
2. 較低的導通電� (Rds(on)) � 1.5Ω,在高電流條件下能有效降低功��
3. 快速開關性能,具備較小的輸入電容和輸出電�,可減少開關損耗�
4. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)定�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
6. TO-220AC 封裝提供良好的散熱性能,便于集成到功率系統(tǒng)中�
� MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
2. 直流-直流轉換器及逆變器電路�
3. 各類電機驅動控制電路�
4. 電池保護及負載切換電路�
5. 工業(yè)設備中的高壓開關控制�
6. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模��
IRF840, STP4NS60E