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NRVTSA4100ET3G 發(fā)布時間 時間:2025/5/16 14:44:37 查看 閱讀:16

NRVTSA4100ET3G 是一款基于硅材料的高壓 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高頻開關應用而設計。該器件采用先進的制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于各種功率轉換和電機驅動等場景。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):4.1A
  導通電阻(Rds(on)):1.5Ω
  總功耗(Ptot):79W
  工作結溫范圍(Tj):-55°C 至 150°C
  封裝形式:TO-220AC

特性

NRVTSA4100ET3G 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高達 600V 的漏源電壓,適合高電壓環(huán)境下的應用。
  2. 較低的導通電阻 (Rds(on)) 為 1.5Ω,在高電流條件下能有效降低功耗。
  3. 快速開關性能,具備較小的輸入電容和輸出電容,可減少開關損耗。
  4. 提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛。
  6. TO-220AC 封裝提供良好的散熱性能,便于集成到功率系統(tǒng)中。

應用

該 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件。
  2. 直流-直流轉換器及逆變器電路。
  3. 各類電機驅動控制電路。
  4. 電池保護及負載切換電路。
  5. 工業(yè)設備中的高壓開關控制。
  6. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模塊。

替代型號

IRF840, STP4NS60E

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  • 產(chǎn)品型號
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nrvtsa4100et3g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥4.61000剪切帶(CT)5,000 : ¥1.53226卷帶(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術肖特基
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)4A
  • 不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)680 mV @ 4 A
  • 速度快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢復時間 (trr)-
  • 不同 Vr 時電流 - 反向泄漏9 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 時電容55pF @ 4V,1MHz
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼DO-214AC,SMA
  • 供應商器件封裝SMA
  • 工作溫度 - 結-55°C ~ 175°C