NRVUA220VT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導體)生產(chǎn)的高� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 Trench 工藝制造,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等應�。其封裝形式� TO-220FP,便于散熱和安裝�
NRVUA220VT3G 的工作電壓高� 650V,能夠承受高電壓的沖�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�4.1A
導通電阻(Rds(on)):1.2Ω(在 Vgs=10V 時)
柵極-源極電壓:�20V
功耗:125W
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-220FP
NRVUA220VT3G 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓應用場��
2. 極低的導通電� Rds(on),有助于降低功率損��
3. 快速開�(guān)性能,可有效減少開關(guān)損��
4. �(nèi)置雪崩擊穿保護功�,增強了器件的魯棒��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 可靠性高,適用于工業(yè)和消費類電子�(shè)��
NRVUA220VT3G 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓拓撲�
3. 電機�(qū)動電�,用于控制直流或步進電機�
4. 負載開關(guān)和保護電��
5. 各種需要高壓切換的工業(yè)�(shè)備�
6. 照明系統(tǒng)中的�(zhèn)流器� LED �(qū)動電��
FQA41N65L,
IRF650,
FDP18N65C3