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NSB9435T1G 發(fā)布時間 時間：2023/4/13 11:05:09 查看 閱讀：649

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商：ON Semiconductor

產(chǎn)品種類：數(shù)字晶體管

配置：Single

晶體管極性：PNP

典型輸入電阻器：10 KOhm

封裝 / 箱體：SOT-223

直流電流增益 hFE 最小值：125 @ 800mA @ 1V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：30 V

峰值直流集電極電流：3000 mA

最大工作溫度：+ 150℃

封裝：Reel

最小工作溫度：- 55℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

nsb9435t1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nsb9435t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型PNP - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）3A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）30V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）10k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)125 @ 800mA，1V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）550mV @ 300mA，3A
  • 電流 - 集電極截止（最大）-
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換110MHz
  • 功率 - 最大720mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4，TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)