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NSBC144EDXV6T1G 發(fā)布時間 時間：2023/4/13 11:13:54 查看 閱讀：343

數(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商：ON Semiconductor

產(chǎn)品種類：數(shù)字晶體管

配置：Dual

晶體管極性：NPN

典型輸入電阻器：47 KOhm

典型電阻器比率：1

封裝 / 箱體：SOT-563-6

直流電流增益 hFE 最小值：80 @ 5mA @ 10V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V

集電極連續(xù)電流：0.1 A

峰值直流集電極電流：100 mA

功率耗散：357 mW

最大工作溫度：+ 150℃

封裝：Reel

最小工作溫度：- 55℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT


資料

廠商
ON Semiconductor

nsbc144edxv6t1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nsbc144edxv6t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）47k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 300µA，10mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563，SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-563
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSBC144EDXV6T1G-NDNSBC144EDXV6T1GOSTR