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NSD914F3T5G 發(fā)布時間 時間:2025/5/7 18:19:55 查看 閱讀:26

NSD914F3T5G 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛應(yīng)用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的場景。該器件采用 Trench 技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻 Rds(on) 和快速開關(guān)特性,適用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域的電源管理及負(fù)載切換。
  NSD914F3T5G 采用 TO-263 (DPAK) 封裝形式,具備出色的散熱性能,可有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。

參數(shù)

最大漏源電壓 Vds:60V
  最大柵源電壓 Vgs:±20V
  最大連續(xù)漏極電流 Id:8A
  導(dǎo)通電阻 Rds(on):3.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
  總功耗 Ptot:27W
  工作溫度范圍 Tj:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:TO-263 (DPAK)

特性

NSD914F3T5G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用需求,同時保持較低的開關(guān)損耗。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)要求。
  6. 封裝結(jié)構(gòu)緊湊,便于表面貼裝工藝使用。

應(yīng)用

NSD914F3T5G 的典型應(yīng)用場景包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  4. LED 驅(qū)動器中的電流調(diào)節(jié)和調(diào)光控制。
  5. 電機(jī)驅(qū)動器中的逆變橋臂開關(guān)。
  6. 各種便攜式設(shè)備的功率管理模塊。

替代型號

NSI914F3T5G, IRF7777, FDP020N06L

nsd914f3t5g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

nsd914f3t5g產(chǎn)品

nsd914f3t5g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭單二極管/整流器
  • 系列-
  • 二極管類型標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - (Vr)(最大)100V
  • 電流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 速度小信號 =
  • 反向恢復(fù)時間(trr)4ns
  • 電流 - 在 Vr 時反向漏電5µA @ 75V
  • 電容@ Vr, F4pF @ 0V,1MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-1123
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-1123
  • 包裝帶卷 (TR)