時間：2025/5/7 18:19:55
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NSD914F3T5G 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的場景。該器件采用 Trench 技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻 Rds(on) 和快速開關(guān)特性，適用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域的電源管理及負(fù)載切換。
NSD914F3T5G 采用 TO-263 (DPAK) 封裝形式，具備出色的散熱性能，可有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
最大漏源電壓 Vds：60V
最大柵源電壓 Vgs：±20V
最大連續(xù)漏極電流 Id：8A
導(dǎo)通電阻 Rds(on)：3.5mΩ（在 Vgs=10V 時）
總功耗 Ptot：27W
工作溫度范圍 Tj：-55°C 至 +175°C
封裝類型：TO-263 (DPAK)
NSD914F3T5G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力，能夠滿足高頻應(yīng)用需求，同時保持較低的開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)要求。
6. 封裝結(jié)構(gòu)緊湊，便于表面貼裝工藝使用。
NSD914F3T5G 的典型應(yīng)用場景包括：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. LED 驅(qū)動器中的電流調(diào)節(jié)和調(diào)光控制。
5. 電機(jī)驅(qū)動器中的逆變橋臂開關(guān)。
6. 各種便攜式設(shè)備的功率管理模塊。
NSI914F3T5G, IRF7777, FDP020N06L
